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自行车,非机动车装置制造技术
数据处理方法和数据处理装置
本申请公开了一种数据处理方法和数据处理装置,属于纵向联邦学习领域。所述数据处理方法,包括:获取目标工业特征数据;对目标工业特征数据进行加密处理获取初始中间结果,并将初始中间结果发送至隐私计算系统进行加密处理,获取隐私计算系统输出的目标中间结...
一种半绝缘碳化硅晶片及退火方法
本发明涉及碳化硅晶体制备领域,尤其涉及一种半绝缘碳化硅晶片及退火方法,所述退火方法包括以下步骤:(a)将待退火SiC晶片在富硅气相环境下进行退火,从而形成碳空位点缺陷;(b)快速降温,从而SiC晶片上的冻结碳空位浓度;(c)在真空环境下对S...
数据库掩码处理方法和装置
本发明公开了一种数据库掩码处理方法和装置,涉及计算机技术领域。该方法的一具体实施方式包括:根据当前用户输入的、针对数据库中原始表的运算语句对原始表进行运算,获得由原始数据组成的结果表;对于结果表中的任一单元格:获取该单元格在原始表中的来源行...
一种高导电剂含量的厚电极膜的制备方法及应用
本发明涉及一种高导电剂含量的厚电极膜的制备方法及应用,制备工艺及方法包括湿法磨混合、喷雾造粒、低温包覆、纤维化、一次热辊压、电极膜复合等步骤。本发明的有益效果是:本发明不仅解决了传统工艺制备的电极膜片的厚度薄、碳等导电剂含量低的问题,而且可...
一种自动读数的滴定管
本发明公开了一种自动读数的滴定管,涉及滴定管技术领域,包括滴定管,所述滴定管的外侧设置有夹装组件,所述夹装组件的外侧设置有读数组件,所述滴定管的内侧设置有内管,所述内管的外壁均匀分布有多个刻度表,所述夹装组件的外侧设置有夹装架,所述夹装组件...
纳升级生物芯片点样系统
本发明公开了一种纳升级生物芯片点样系统,包括:至少一组点样单元、与点样单元的输入端连通的去离子水槽、设置在点样单元的输出端的清洗槽、与清洗槽连通的收集瓶、与收集瓶连通的隔膜液泵以及与隔膜液泵连通的废液槽;点样单元包括带有注射器的注射泵、与注...
文件处理方法、装置及程序产品
本申请公开了一种文件处理方法、装置及程序产品。涉及金融科技领域,该方法包括:在接收到第一对象的待加密文件的情况下,生成数据加密密钥,其中,第一对象包括:创建待加密文件的对象;获取待加密文件的文件属性以及第一对象的对象属性,其中,对象属性包括...
剪贴板管理方法、电子装置和计算机程序产品
本发明实施例提供了一种剪贴板管理方法、电子装置和计算机程序产品,通过对待复制的信息内容进行敏感度分级;确定敏感度分级为第一敏感级时,设置信息内容的安全策略;根据安全策略,对信息内容执行剪贴操作。解决了相关技术中剪贴板的数据安全性差的问题,达...
一种基于标准接口的社保卡PIN重置方法、系统及介质
本发明公开了一种基于标准接口的社保卡PIN重置方法、系统及介质,所述方法包括以下步骤:配置加密模块、第一标准接口和分组加密算法;设置数据字符位;检测社保卡PIN重置需求,基于所述加密模块、所述第一标准接口、所述数据字符位和所述社保卡PIN重...
涂料、涂层、与发光装置
本发明涉及涂料、涂层、与发光装置,其中,涂料包括:改性粒子,包括:核心;以及具有环氧基的硅烷偶合剂或具有双键的硅烷偶合剂,接枝至核心的表面;以及反应性化合物,当具有环氧基的硅烷偶合剂接枝至核心的表面时,反应性化合物包括不含硅的多环氧化合物与...
一种PEDOT : PSS组合物作为粘结剂在制备锂离子电池负极中的应用
本发明属于锂电池技术领域,涉及一种PEDOT : PSS组合物作为粘结剂在制备锂离子电池负极中的应用,所述PEDOT : PSS组合物包括PEDOT : PSS水分散液和表面活性剂,所述PEDOT : PSS组合物作为粘结剂用于负极浆料中。...
图像处理装置
本公开的一个方式的图像处理装置具备:三维信息获取部,其从视觉传感器获取三维信息,该三维信息包含二维图像及二维位置的距离信息;图像识别部,其从所述二维图像中识别对象物的候选区域;重叠判定部,其判定所述候选区域是否重叠;以及距离判定部,其针对由...
基于空位的可控掺杂p型二维晶体管及其制备方法
本发明公开了一种基于空位的可控掺杂p型二维晶体管及其制备方法,主要解决现有技术难以实现精准可控掺杂的问题。方案包括:绝缘衬底,二维材料沟道层,位于二维材料沟道层两端之上的源电极与漏电极,位于二维材料沟道层与源漏电极之上的栅介质层,位于栅介质...
一种用于悬臂式叶轮的锁紧防松脱装置
本发明提供了一种用于悬臂式叶轮的锁紧防松脱装置,涉及离心式风机、泵等设备技术领域。装置采用“静‑动”双重防松机制:静态上,通过锁紧螺母端面的防转销钉插入叶轮盲孔实现刚性机械止动;动态上,通过套设在螺母外、带有非对称结构的防转垫圈,利用旋转流...
晶体管及形成集成电路系统的方法
晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、竖直地处于所述顶部及底部源极/漏极区之间的沟道区,及以操作方式横向邻近于所述沟道区的栅极。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的至少一个是结晶的。所述顶部源极/漏极区、所述底...
一种SiC沟槽MOSFET器件及其制造方法
本发明公开了一种SiC沟槽MOSFET器件及其制造方法,本发明通过形成第二导电类型柱区,在减小了栅氧化层尖峰电场、保护了栅氧化层的同时,利用柱形区与外延层形成的超结结构,在保证器件击穿特性不退化的前提下,明显减小了器件的漂移区电阻,从而有效...
负极极片和电池单体
本申请的实施例提供了负极极片和电池单体,负极极片包括:集流体;以及负极活性物质层,位于集流体的至少一侧上,负极活性物质层包括位于集流体上的第一负极活性物质层和位于第一负极活性物质层的远离所述集流体的一侧的第二负极活性物质层,基于负极活性物质...
一种基于分区调控与实时反馈的气淬系统
本发明公开了一种基于分区调控与实时反馈的气淬系统,包括气淬炉,所述气淬炉的气淬炉炉壁上开设有若干进气孔洞,所述气淬炉的气淬炉炉壁上设有多维分区调控机构,所述多维分区调控机构能够对气淬炉上相应的进气孔洞的进气量进行分区调节,实现分区冷却;所述...
一种多维掺杂轮廓优化型超薄体MOSFET器件及其制备工艺
本发明公开了一种多维掺杂轮廓优化型超薄体MOSFET器件及其制备工艺,属于半导体器件技术领域,包括由若干个相互并列的MOS元胞构成,单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极;所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层和P...
一种数据湖中隐私计算的处理方法
本发明公开了一种数据湖中隐私计算的处理方法,包括以下步骤:步骤一,建立数据连接;步骤二,分析处理调用;步骤三,加密模型构建;步骤四,生成计算沙盒;步骤五,隐私计算输出;步骤六,反馈还原输出;本发明,通过建立安全架构在数据调用之前将原始数据转...
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