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自行车,非机动车装置制造技术
  • 一种农用开荒除草机器
    一种农用开荒除草机器_四川好土优土农业开发有限公司_202521131157.8
    本实用新型公开了一种农用开荒除草机器，涉及农业除草机领域，包括安装在机架上的行走机构和除草机构；所述行走机构包括一对行走轮，两个所述行走轮通过转轴转动的安装连接在机架的前端，所述转轴通过安装设置在机架上的第一驱动结构驱动转动；所述除草机构包...
    2026-05-07
  • 一种电炉变压器低压大电流测量设备及方法
    一种电炉变压器低压大电流测量设备及方法_柳州索能特种变压器有限责任公司_202512037605.9
    本发明公开了一种电炉变压器低压大电流测量设备及方法，属于变压器电流测量技术领域，包括：形变安装组件，安装固定组件，低压大电流测量组件，可拆装固定组件，锁定组件，穿线组件；本发明由形变安装组件、安装固定组件、低压大电流测量组件、可拆装固定组件...
    2026-05-07
  • 一种离心泵安装机构
    一种离心泵安装机构_上海山安建设工程有限公司_202520984596.7
    本实用新型涉及离心泵技术领域，公开了一种离心泵安装机构，包括基坑和隔断板，所述基坑的内部设置有下混凝土，所述下混凝土的四角均设置有直角柱，所述下混凝土的顶侧设置有上混凝土，所述隔断板的外部固定连接有桥架机构，所述直角柱的顶端螺纹连接有地脚螺...
    2026-05-07
  • 一种倒装双金属温度计
    一种倒装双金属温度计_郑州椿长仪器仪表有限公司_202520948407.0
    本发明属于感温设备领域，具体涉及一种倒装双金属温度计，包括表头1，所述表头1底部固定连接外护管2，所述外护管2内设置有套接件3，套接件3顶部固定连接表头1，套接件3内套接设置转轴4，转轴4顶部固定连接指针41，转轴4轴杆上固定连接双金属簧5...
    2026-05-07
  • 一种自清洁水性外墙防水涂料及其制备方法
    一种自清洁水性外墙防水涂料及其制备方法_嘉宝莉化工集团股份有限公司_202410139224.4
    本发明提供了一种自清洁水性外墙防水涂料，包括质量分数如下的成分：硅丙乳液18‑30％、硅树脂乳液10‑25％、改性二氧化钛5‑15％、金红石钛白粉5‑15％、超疏水型滑石粉5‑8％、重质碳酸钙5‑15％、助剂3.3‑6.1％，以及余量的水。...
    2026-05-07
  • 一种分裂栅MOSFET的栅极应力缓释结构及其制备方法
    一种分裂栅MOSFET的栅极应力缓释结构及其制备方法_深圳市芯电元科技有限公司_202610406125.7
    本发明公开一种分裂栅MOSFET的栅极应力缓释结构及其制备方法，结构包括半导体外延层、形成于半导体外延层中的沟槽、设置于沟槽内的栅极绝缘层以及由栅极绝缘层限定形成的至少一个安装腔；在各安装腔内分别设置有栅极导电层，并在栅极导电层外表面与对应...
    2026-05-07
  • 一种采用液相有机碳源制备薄层碳包覆型正极材料的方法
    一种采用液相有机碳源制备薄层碳包覆型正极材料的方法_复旦大学_202610194634.8
    本发明涉及一种采用液相有机碳源制备薄层碳包覆型正极材料的方法，以液相有机物为碳源，将其引入磷酸铁锂等正极活性材料体系，使碳源在正极材料颗粒表面形成吸附或界面修饰结构，经固液分离后在保护气氛下原位碳化，在正极材料颗粒表面构建连续薄层碳包覆结构...
    2026-05-07
  • 一种金属栅极器件结构制造方法和金属栅极器件结构
    一种金属栅极器件结构制造方法和金属栅极器件结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202610433864.5
    本申请公开了一种金属栅极器件结构制造方法和金属栅极器件结构，包括：在衬底上形成鳍部；在鳍部的表面上依次形成栅介质层和帽层；在帽层的表面上形成牺牲及缓冲层，然后执行热处理，使牺牲及缓冲层材料中的原子扩散进入帽层材料中，以提高帽层的扩散阻挡能力...
    2026-05-07
  • LDMOS器件及其形成方法
    LDMOS器件及其形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610143364.8
    一种LDMOS器件及其形成方法，其中结构包括：位于所述漂移区内的第一场氧结构，所述第一场氧结构具有相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁呈阶梯状，所述第二侧壁呈倾斜状，且所述第二侧壁与所述第一场氧结构底部的夹角为钝角；位于所述衬底表面的栅极...
    2026-05-07
  • 控制保护方法、控制装置及程序产品
    控制保护方法、控制装置及程序产品_宁德时代新能源科技股份有限公司_202610431562.4
    本申请公开了一种控制保护方法、控制装置及程序产品，控制保护方法应用于储能系统，储能系统包括多个串联的储能子模块；储能子模块包括储能变流器、保护器件和电池单体，保护器件设置于储能变流器和电池单体之间；方法包括：确定储能系统由充放电状态向热备用...
    2026-05-07
  • LDMOS器件及其制造方法
    LDMOS器件及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202411538399.9
    本发明涉及一种LDMOS器件及其制造方法，所述LDMOS器件包括：源极区；漏极区；栅极；漂移区，至少部分位于所述源极区和漏极区之间；场氧层，位于所述漂移区上；低K介质层，位于所述栅极上和所述场氧层上，所述低K介质层的介电常数小于所述场氧层的...
    2026-05-07
  • 新的丙型肝炎病毒(HCV)免疫原及其相关用途
    新的丙型肝炎病毒(HCV)免疫原及其相关用途_斯克里普斯研究学院_202480063978.4
    提供了可用于疫苗制剂中的丙型肝炎病毒(HCV)可溶性融合免疫原(sE1E2)，其来源于经改造的或重新设计的HCV sE1和sE2多肽，并被配置成形成天然样E1E2界面。还提供了相关的疫苗组合物，其在自组装纳米粒支架上展示切割成具有天然E1E...
    2026-05-07
  • 一种固态电池界面应力缓冲层及其构建方法
    一种固态电池界面应力缓冲层及其构建方法_青岛新卫仕新能源科技有限公司_202511981559.1
    本发明公开了一种固态电池界面应力缓冲层及其构建方法，本发明涉及电化学储能器件技术领域，包括以下步骤：复合粉体制备：在惰性气氛保护下，将正极活性材料、硫化物固态电解质和界面缓冲剂进行机械混合，得到复合前驱粉体；致密化坯体制备：将所述复合前驱粉...
    2026-05-07
  • 一种适用合金锑/导电碳负极的中熵电解液实现高能量密度钾离子电池
    一种适用合金锑/导电碳负极的中熵电解液实现高能量密度钾离子电池_南京林业大学_202610069910.8
    本发明属于有机电解液和钾离子电池领域，具体涉及一种适用合金锑/导电碳负极的中熵电解液实现高能量密度钾离子电池。该钾离子电池包括普鲁士蓝(PB)正极、电解液、锑/导电碳(Sb/SP)负极；电解液为双氟磺酰亚胺钾盐(KFSI)的中熵电解液。本发...
    2026-05-07
  • 一种导热绝缘涂料及其制备方法
    一种导热绝缘涂料及其制备方法_合肥微晶材料科技有限公司_202411099608.4
    本发明公开了一种导热绝缘涂料的制备方法，包括以下步骤：取基体树脂，加入活性稀释剂，在加热搅拌条件下使基体树脂粘度降低，且混合均匀，再停止加热；依次加入改性六方氮化硼纳米片、纳米Al2O3、偶联剂、流平剂、引发剂、稳定剂、固化剂、消泡剂，分散...
    2026-05-07
  • 一种压缩秤脚发电的电子秤
    一种压缩秤脚发电的电子秤_中山佳维电子有限公司_202520956761.8
    本实用新型公开了一种压缩秤脚发电的电子秤，包括有秤体，秤体内部两侧分别设有可相对秤体升降的第一称重支撑组件和第二称重支撑组件，秤体内设有齿轮组和发电机，齿轮组输出端与发电机动力输入端连接，第一称重支撑组件包括有第一连接座，第一连接座上设有沿...
    2026-05-07
  • 一种透明气凝胶隔热自清洁涂料、制备方法及其应用
    一种透明气凝胶隔热自清洁涂料、制备方法及其应用_中建三局集团有限公司_202610118100.7
    本发明公开了一种透明气凝胶隔热自清洁涂料、制备方法及其应用，包括以下质量份数的组分：成膜树脂30‑50份；改性二氧化硅气凝胶5‑15份；稀土掺杂三氧化钨热致变色颗粒：1‑5份；石墨烯/二氧化锰多孔网络2‑8份；离子液体改性LDH纳米片1‑3...
    2026-05-07
  • 水泵泵头
    水泵泵头_浙江日井泵业股份有限公司_202510396098.5
    本专利申请属于水泵技术领域，特指一种水泵泵壳，包括泵头主体，泵头主体具有低压入水部、加压部以及高压出水部，所述低压入水部上设有进水口与流量开关，所述加压部中设有叶轮，所述高压出水部上设有出水口与压力传感器；所述高压出水部的表面开设有第一安装...
    2026-05-07
  • 一种基于时空数据与遥感影像融合的补充耕地认定方法
    一种基于时空数据与遥感影像融合的补充耕地认定方法_重庆市国土整治中心_202511974858.2
    本发明公开了一种基于时空数据与遥感影像融合的补充耕地认定方法，涉及遥感领域，本发明的技术方案包括如下步骤：S1新增耕地前期计划补充耕地精准预判与锚定；S2新增耕地补充耕地精细化认定与计算；S3成果质量智能判定与分级校验。通过融合多时相高分辨...
    2026-05-07
  • 应变缓释型Ge/Si/SiGe异质结构及其生长方法
    应变缓释型Ge/Si/SiGe异质结构及其生长方法_西安理工大学_202610118625.0
    本发明公开了应变缓释型Ge/Si/SiGe异质结构，自下而上依次为Ge衬底，Si缓冲层，SiGe外延层；Si缓冲层的厚度为5‑12nm；SiGe外延层的厚度为180‑200nm。本发明还公开了应变缓释型Ge/Si/SiGe异质结构的生长方法...
    2026-05-07
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