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自行车,非机动车装置制造技术
  • 一种低压损的宽调节比的多旋流离散阵列火焰燃烧器
    一种低压损的宽调节比的多旋流离散阵列火焰燃烧器_北京航空航天大学_202411759769.1
    本发明提供一种低压损的宽调节比的多旋流离散阵列火焰燃烧器，包括：火焰筒，形成有燃烧室，火焰筒中设有具有不同大小的第一旋流器和第二旋流器，第二旋流器设置在第一旋流器的两侧，第一旋流器和第二旋流器上均设有与燃烧室连通的喷嘴；通气装置，包括空气腔...
    2026-04-29
  • 一种无偏振片液晶透镜深度估计方法
    一种无偏振片液晶透镜深度估计方法_电子科技大学_202310105251.5
    一种无偏振片液晶透镜深度估计方法，包括以下步骤：步骤1.利用不带偏振片的液晶透镜成像系统对物体拍摄两张不同焦距下的图像；步骤2.建立未加偏振片的模糊退化模型；步骤3.对不同候选深度的目标成像分别求出模糊退化函数，建立滤波器组；计算能量函数和...
    2026-04-29
  • 一种城市路面探伤检测器及其终端
    一种城市路面探伤检测器及其终端_北京建筑大学_202011556002.0
    本发明公开了检测仪器领域的一种城市路面探伤检测器及其终端，以克服现有技术中缓冲组件回位方向不特定，从而使传感器与弯沉盆脱离接触的缺陷，为了克服上述问题，本技术方案包括位于上方的稳载平台和位于下方的承载台，行程杆包裹有重力锤，所述承载台表面设...
    2026-04-29
  • 改善快速充电性能的二次电池用电极、其制备方法及包括其的二次电池
    改善快速充电性能的二次电池用电极、其制备方法及包括其的二次电池_SK新能源株式会社_202610104786.4
    本发明提供二次电池用电极，包括：集电体；以及位于所述集电体的至少一面，含电极活性物质及粘合剂的电极活性物质层，所述电极活性物质层以宽度方向为基准，从所述电极活性物质层的一侧向另一侧方向，交叉包括a区域及b区域，所述a区域比所述b区域具有更高...
    2026-04-29
  • 一种多格式文档解析方法、装置、计算机设备和存储介质
    一种多格式文档解析方法、装置、计算机设备和存储介质_赛力斯集团股份有限公司_202512032761.6
    本发明公开一种多格式文档解析方法、装置、计算机设备和存储介质，涉及文档处理领域，用以解决现有文档解析方法在面对多样化文档时容易出现解析乱码的问题。该方法包括：针对第一类文档，将第一类文档的模态转换为图像，得到待处理图像；通过预设的版面分析模...
    2026-04-29
  • 电场调制的p-GaN栅增强型HEMT及其制备方法
    电场调制的p-GaN栅增强型HEMT及其制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511944480.1
    本发明公开了一种电场调制的p‑GaN栅增强型HEMT及其制备方法，p‑GaN栅增强型HEMT包括：自下而上依次叠加的衬底层、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，沿着势垒层上表面的一端到另一端依次设置有的源极、帽层、调制层阵列和漏极以及位于帽层之...
    2026-04-29
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202610386103.9
    本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；沟道层，位于衬底上；势垒层，位于沟道层远离衬底的一侧；钝化层，位于势垒层远离衬底的一侧；接触沟槽，贯穿钝化层以及势垒层，并从钝化层向衬底方向至少延伸至沟道...
    2026-04-29
  • 滚动装置及其制造方法
    滚动装置及其制造方法_THK株式会社_202480061622.7
    在滚动装置中，构成该滚动装置的内方构件、外方构件及滚动体中的至少一个的构件由镍基合金构成，所述镍基合金由35~45重量%的Cr、3.7~5重量%的Al、其余部分的Ni及不可避免的杂质构成，构成内方构件、外方构件及滚动体中的至少一个的镍基合金...
    2026-04-29
  • 复合补锂材料及其制备方法、复合正极、二次电池
    复合补锂材料及其制备方法、复合正极、二次电池_北京卫蓝新能源科技股份有限公司_202511902564.9
    本发明涉及锂电池技术领域，具体涉及一种复合补锂材料及其制备方法、一种复合正极、一种二次电池。该复合补锂材料，包括：由具有氧空位的改性金属氧化物纳米线组成的三维球形骨架和分散在三维球形骨架中的补锂材料。本发明提供的复合补锂材料不仅可以有效缓解...
    2026-04-29
  • 基于知识库的数据识别方法、装置、设备及介质
    基于知识库的数据识别方法、装置、设备及介质_中电数据产业集团有限公司_202511901928.1
    基于知识库的数据识别方法、装置、设备及介质，涉及数据处理技术领域；该方法包括：构建知识库，其存储有：数据项字段集合、枚举类型值定义、正则表达式规则、以及函数识别规则；响应于数据识别请求，基于组合抽样策略抽取样本数据集；对样本数据集，将样本数...
    2026-04-29
  • 一种用于冷却水泵的全新微流道结构
    一种用于冷却水泵的全新微流道结构_泉州职业技术大学_202520779490.3
    一种用于冷却水泵的全新微流道结构，其结构包括泵体，所述泵体内部设有用于安装叶轮的蜗室以及环绕设于蜗室边缘的主流道，所述主流道沿蜗室周向环绕设置并延伸至泵体顶部，所述主流道末端的泵体上设有出水口，所述蜗室沿周向均匀设有若干个分流道，所述分流道...
    2026-04-29
  • 一种碳包覆的离子掺杂钒氧化物材料及其制备方法、应用
    一种碳包覆的离子掺杂钒氧化物材料及其制备方法、应用_浙江工业大学_202411921173.7
    本发明提供一种碳包覆的离子掺杂钒氧化物材料及其制备方法、应用，所述制备方法包括：将含有掺杂金属离子、钒氧化物中间体溶液、氧化剂、溶剂和葡萄糖的反应液进行溶剂热反应，保护气氛下煅烧所得固体，制得碳包覆的离子掺杂钒氧化物材料；所述掺杂金属离子选...
    2026-04-29
  • 基于知识图谱的数据验证方法、装置、设备及存储介质
    基于知识图谱的数据验证方法、装置、设备及存储介质_北京中电普华信息技术有限公司_202511722200.2
    本公开提供一种基于知识图谱的数据验证方法、装置、设备及存储介质。所述方法包括：获取待存储数据，基于所述待存储数据构建知识图谱；从所述知识图谱中确定关键事件，并将所述关键事件存储至区块链中；接收到数据验证请求，基于接收到的待验证数据从所述区块...
    2026-04-29
  • 一种抗单粒子烧毁的沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法
    一种抗单粒子烧毁的沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法_大连海事大学_202211337244.X
    本发明公开了一种抗单粒子烧毁加固的沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法，包括：在器件的中心位置刻蚀深沟槽并形成P型屏蔽区和沉积N型多晶硅，通过离子注入的方式在硼掺杂区和N型漂移区之间形成电流扩展层，通过离子注入的方式在硼掺杂区上方形成P型...
    2026-04-29
  • 一种钠离子电池正极材料及其制备方法
    一种钠离子电池正极材料及其制备方法_万华化学集团股份有限公司_202610005763.8
    本发明涉及电池材料技术领域，公开了一种钠离子电池正极材料及其制备方法，钠离子电池正极材料包括氟磷酸钒钠核，氟磷酸钒钠核外依次包覆有聚多巴胺层和硅烷层。本发明通过在氟磷酸钒钠正极材料表面引入聚多巴胺层与硅烷层构成的双层包覆结构，实现了对材料界...
    2026-04-29
  • 一种用于广彩瓷器件的缺口检测方法及系统
    一种用于广彩瓷器件的缺口检测方法及系统_广东文艺职业学院_202610028249.6
    本发明公开了一种用于广彩瓷器件的缺口检测方法及系统，涉及视觉检测技术领域，该方法的具体步骤为：多光谱采集、融合定位、深度采集、重构量化和结果输出；本发明通过采用可见光、近红外、紫外多光谱图像采集，基于广彩瓷基体与缺口在不同光谱下的光学反射和...
    2026-04-29
  • 一种贴片电阻MK层UV固化浆料及其制备方法
    一种贴片电阻MK层UV固化浆料及其制备方法_中山市康迪斯威科技有限公司_202610275744.7
    本发明属于厚膜电子元件制造领域，具体涉及一种贴片电阻MK层UV固化浆料及其制备方法；针对现有UV固化保护层耐热性不足、热膨胀系数不匹配导致开裂脱落问题；本发明通过环氧‑有机硅杂化树脂体系和复合功能填料，树脂体系包括三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，己...
    2026-04-29
  • 一种高纯度儿茶素单体及其制备工艺与应用
    一种高纯度儿茶素单体及其制备工艺与应用_浙江大学_202610081300.X
    本发明涉及天然产物分离纯化技术领域，公开了一种高纯度儿茶素单体及其制备工艺与应用。本发明一种高纯度儿茶素单体的制备工艺，包括以下步骤：S1.配置茶多酚溶液；S2.利用大孔吸附树脂对步骤S1配置的茶多酚溶液中的EGCG进行富集；S3.利用分子...
    2026-04-29
  • 晶体管器件、晶体管器件的制备方法
    晶体管器件、晶体管器件的制备方法_湖南三安半导体有限责任公司_202411451409.5
    本申请公开了一种晶体管器件、晶体管器件的制备方法，晶体管器件包括依次层叠设置的衬底、掺杂缓冲层、沟道层和势垒层，以及势垒层背离衬底的一侧设有漏极、源极和栅极；其中，掺杂缓冲层包括层叠设置的第一缓冲层和第二缓冲层，第二缓冲层位于第一缓冲层背离...
    2026-04-29
  • 一种法兰螺栓异常安装顺序识别方法、装置、设备及可读存储介质
    一种法兰螺栓异常安装顺序识别方法、装置、设备及可读存储介质_中国石油大学(北京)_202610072990.2
    本申请在安全生产技术领域，公开了一种法兰螺栓异常安装顺序识别方法、装置、设备及可读存储介质，本申请能够在安装视频被录制完成后，在远少于人工复查所需的时间内完成全部分析工作，并自动将记录的实际操作序列与标准工序进行对比校验，从而检出异常安装顺...
    2026-04-29
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