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自行车,非机动车装置制造技术
  • 一种SiC沟槽MOSFET器件及其制造方法
    一种SiC沟槽MOSFET器件及其制造方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202210787120.5
    本发明公开了一种SiC沟槽MOSFET器件及其制造方法，本发明通过形成第二导电类型柱区，在减小了栅氧化层尖峰电场、保护了栅氧化层的同时，利用柱形区与外延层形成的超结结构，在保证器件击穿特性不退化的前提下，明显减小了器件的漂移区电阻，从而有效...
    2026-04-18
  • 一种数据湖中隐私计算的处理方法
    一种数据湖中隐私计算的处理方法_卓面信息科技(苏州)有限公司_202211133887.2
    本发明公开了一种数据湖中隐私计算的处理方法，包括以下步骤：步骤一，建立数据连接；步骤二，分析处理调用；步骤三，加密模型构建；步骤四，生成计算沙盒；步骤五，隐私计算输出；步骤六，反馈还原输出；本发明，通过建立安全架构在数据调用之前将原始数据转...
    2026-04-18
  • 晶体管及形成集成电路系统的方法
    晶体管及形成集成电路系统的方法_美光科技公司_202080056191.7
    晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、竖直地处于所述顶部及底部源极/漏极区之间的沟道区，及以操作方式横向邻近于所述沟道区的栅极。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的至少一个是结晶的。所述顶部源极/漏极区、所述底...
    2026-04-18
  • 一种多维掺杂轮廓优化型超薄体MOSFET器件及其制备工艺
    一种多维掺杂轮廓优化型超薄体MOSFET器件及其制备工艺_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202610008141.0
    本发明公开了一种多维掺杂轮廓优化型超薄体MOSFET器件及其制备工艺，属于半导体器件技术领域，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层和P...
    2026-04-18
  • 一种防锈的水泵壳体
    一种防锈的水泵壳体_福建省海能机电科技有限公司_202521103813.3
    本实用新型涉及一种防锈的水泵壳体，特别涉及水泵技术领域。本实用新型包括泵体、拉伸衬盘、铸铁前盖，所述铸铁前盖背部中间处设有向后凸起的圆柱凸台，所述拉伸衬盘上与所述圆柱凸台相对应的位置上设有用于支撑所述圆柱凸台平面的衬盘平面，所述圆柱凸台底部...
    2026-04-18
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_鸿扬半导体股份有限公司_202411428354.6
    一种半导体元件的制造方法包括执行第一注入工艺，以形成第一掺杂区于磊晶层中。磊晶层与第一掺杂区具有第一导电型。制造方法还包括执行第二注入工艺，以形成第二掺杂区的第一部位于磊晶层中。第二掺杂区的第一部位具有不同于第一导电型的第二导电型且相邻于第...
    2026-04-18
  • 负极极片和电池单体
    负极极片和电池单体_远景动力技术(江苏)有限公司_202610002566.0
    本申请的实施例提供了负极极片和电池单体，负极极片包括：集流体；以及负极活性物质层，位于集流体的至少一侧上，负极活性物质层包括位于集流体上的第一负极活性物质层和位于第一负极活性物质层的远离所述集流体的一侧的第二负极活性物质层，基于负极活性物质...
    2026-04-18
  • 一种基于分区调控与实时反馈的气淬系统
    一种基于分区调控与实时反馈的气淬系统_浙江工业大学_202512020620.2
    本发明公开了一种基于分区调控与实时反馈的气淬系统，包括气淬炉，所述气淬炉的气淬炉炉壁上开设有若干进气孔洞，所述气淬炉的气淬炉炉壁上设有多维分区调控机构，所述多维分区调控机构能够对气淬炉上相应的进气孔洞的进气量进行分区调节，实现分区冷却；所述...
    2026-04-18
  • 多租户资源隔离系统及方法
    多租户资源隔离系统及方法_中信银行股份有限公司_202511761620.1
    本申请涉及多租户系统架构技术领域，公开了一种多租户资源隔离系统及方法；包括：元模型驱动层，包括多种元模型和元模型动态解析引擎，元模型动态解析引擎用于根据租户选择的目标元模型生成SQL表结构和业务逻辑代码；租户配置层，用于租户在可视化沙箱环境...
    2026-04-18
  • 多模态文档的脱敏处理方法、装置、设备、存储介质及程序产品
    多模态文档的脱敏处理方法、装置、设备、存储介质及程序产品_中国工商银行股份有限公司_202512056961.5
    本申请提供一种多模态文档的脱敏处理方法、装置、设备、存储介质及程序产品，涉及大数据领域。该方法包括：获取多模态文档；对多模态文档进行多模态数据提取处理，以得到多模态文档中的多模态数据；对多模态数据进行分类处理，以得到多模态数据的模态类别；其...
    2026-04-18
  • 基于改进张正友标定法的图像尺寸标定方法与木材缺陷面积计算方法
    基于改进张正友标定法的图像尺寸标定方法与木材缺陷面积计算方法_山东省计算中心(国家超级计算济南中心)_202310737514.4
    本发明公开一种基于改进张正友标定法的图像尺寸标定方法与木材缺陷面积计算方法，在张正友标定法使用L‑M方法求解最大似然估计最小值时易陷入局部极值的问题上，利用遗传算法能够全局寻找最优值的优势来优化L‑M算法易陷入局部极小值的缺点，在遗传算法中...
    2026-04-18
  • 一种基于颜色直方图距离的跟踪目标丢失检测方法及系统
    一种基于颜色直方图距离的跟踪目标丢失检测方法及系统_中国人民解放军火箭军工程大学_202211624981.8
    本发明公开了一种基于颜色直方图距离的跟踪目标丢失检测方法，包括：获取待跟踪图像，其中，所述待跟踪图像包括目标区域和背景区域；基于所述跟踪图像的目标区域确定跟踪框缩放比例以调节跟踪框参数得到目标中心区域，使得所述目标中心区域中目标对象的像素数...
    2026-04-18
  • 在漏极区集成P-AlGaN与石墨烯层的HEMT器件及制造方法
    在漏极区集成P-AlGaN与石墨烯层的HEMT器件及制造方法_山东大学_202511982582.2
    本发明涉及在漏极区集成P‑AlGaN与石墨烯层的HEMT器件及制造方法，属于半导体功率器件制造领域，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层左侧上方设置源极金属，AlGaN势垒层右侧上方设置石墨烯...
    2026-04-18
  • 基于大数据的数据安全管控方法、装置、设备及存储介质
    基于大数据的数据安全管控方法、装置、设备及存储介质_平安科技(深圳)有限公司_202211364004.9
    本发明涉及人工智能技术，揭露了一种基于大数据的数据安全管控方法，包括：对目标单位原始数据进行压缩及分段处理，并筛选分段后数据，得到目标数据，对目标数据进行特征融合，得到融合数据；根据预设第三方权威数据的业务类别，选择预设分类模型对预设第三方...
    2026-04-18
  • 一种气体稳定同位素磁式质谱仪进样系统
    一种气体稳定同位素磁式质谱仪进样系统_成都其联科技有限公司_202211409292.5
    本发明属于质谱仪技术领域，特别涉及一种气体稳定同位素磁式质谱仪进样系统。其技术方案为：一种气体稳定同位素磁式质谱仪进样系统，包括安瓿容器，安瓿容器内盛装有若干装载有样品气体和/或标准气体的安瓿瓶，安瓿容器的出口管路连接有气体分配单元，气体分...
    2026-04-18
  • 数据处理方法和数据处理装置
    数据处理方法和数据处理装置_美的集团股份有限公司_202211657693.2
    本申请公开了一种数据处理方法和数据处理装置，属于纵向联邦学习领域。所述数据处理方法，包括：获取目标工业特征数据；对目标工业特征数据进行加密处理获取初始中间结果，并将初始中间结果发送至隐私计算系统进行加密处理，获取隐私计算系统输出的目标中间结...
    2026-04-18
  • 一种数据集合求交方法及装置
    一种数据集合求交方法及装置_中国电信股份有限公司技术创新中心_202310827837.2
    本申请提供一种数据集合求交方法及装置，该方法包括：获取第一参与方的数据构建的映射空间和第二参与方的数据；映射空间包括多个层级，每个层级根据哈希桶号从小到大的顺序存储第一参与方的数据；计算第二参与方的数据的层级序号和哈希桶号；根据第二参与方的...
    2026-04-18
  • 一种热管散热与点式消防一体化装置
    一种热管散热与点式消防一体化装置_北京纳源丰科技发展有限公司_202520638633.9
    本实用新型公开了一种热管散热与点式消防一体化装置，适用于服务器机房的高效散热与精准消防保护，包括成列服务器机柜、封闭通道以及热管散热与消防集成单元，封闭通道设置在两列服务器机柜之间并与各服务器机柜的进风侧或排风侧连通，用于隔离冷热气流。热管...
    2026-04-18
  • 一种半绝缘碳化硅晶片及退火方法
    一种半绝缘碳化硅晶片及退火方法_浙江晶越半导体有限公司_202511747230.9
    本发明涉及碳化硅晶体制备领域，尤其涉及一种半绝缘碳化硅晶片及退火方法，所述退火方法包括以下步骤：(a)将待退火SiC晶片在富硅气相环境下进行退火，从而形成碳空位点缺陷；(b)快速降温，从而SiC晶片上的冻结碳空位浓度；(c)在真空环境下对S...
    2026-04-18
  • 一种基于最小体积约束的几何凸优化端元提取方法及系统
    一种基于最小体积约束的几何凸优化端元提取方法及系统_广东技术师范大学_202511843625.9
    本发明公开了一种基于最小体积约束的几何凸优化端元提取方法及系统，所述方法包括：对原始光谱矩阵进行降维和去相关处理，得到预处理后的数据；在预处理后的数据上构建凸包顶点集，并从中选择初始端元矩阵；对初始端元矩阵进行迭代优化，通过逐点更新端元顶点...
    2026-04-18
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