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航空航天装置制造技术
  • 本发明涉及一种垂直结构的氮化镓二极管及制备方法,属于半导体技术领域。该垂直结构的氮化镓二极管包括n+GaN衬底层;n‑GaN漂移层位于n+GaN衬底层的一侧;Al2O3环形接触层和阳极金属层,位于n‑GaN漂移层背离n+GaN衬底层的一侧,...
  • 本发明提供一种铁电晶体管结构及其制备方法,铁电晶体管结构包括:底层衬底;位于底层衬底的表面,且沿背离底层衬底方向依次设置的铁电层、绝缘介质层和顶层衬底;位于顶层衬底上的场效应晶体管;以及,贯穿顶层衬底并与铁电层电连接的控制电极,所述控制电极...
  • 本发明公开了一种厚铜功率MOSFET结构及其制备方法,半导体晶圆及制备在所述半导体晶圆上的器件,在所述器件上布置有金属沉积层,所述金属沉积层仅覆盖于所述器件的源极、栅极和漏极上。通过使用掩模板进行选择性蒸发在晶圆的正面和/或背面形成金属沉积...
  • 本申请实施例提供了一种晶体管及其制备方法,涉及半导体器件技术领域,以解决晶体管沟道长度的准确性受刻蚀精度影响,稳定性差,难以适应半导体器件小型化需求的问题。晶体管包括:衬底层;第一电极,设置于衬底层的一侧;第二电极,设置于第一电极远离衬底层...
  • 本实用新型属于无人机施肥领域,提供了一种精准变量化肥撒播无人机挂载设备,包括设置在无人机起落架上的储料桶,所述储料桶上设置有加料口,所述储料桶的底部设置有下料管件,所述下料管件上设置有流量测量组件,所述下料管件的下端设置有用于抛洒肥料的抛撒...
  • 本实用新型属于干粉灭火设备技术领域,涉及一种用于无人机森林灭火的非贮压式森林灭火装置,包括壳体,壳体的顶部设有无人机脱钩器和装置吊钩,壳体的上部的设有控制集成器,控制集成器上部设有控制集成器供电开关、探测延时器、信号线插座和电池开关插座,控...
  • 本公开涉及飞行器技术领域,包括垂直起降飞行器的设计方法、装置及存储介质。通过获取多个升力提供部件中待设计的目标升力提供部件的部件位置、以及目标升力提供部件损坏时产生的部件碎片的碎片脱落轨迹;基于部件位置和碎片脱落轨迹,确定在部件碎片脱落过程...
  • 一种用于飞行器的推进系统,飞行器包括飞行器燃料供应部,推进系统包括:涡轮机,涡轮机包括以串行流动顺序布置的压缩机区段、燃烧区段和涡轮区段,燃烧区段被构造成接收来自飞行器燃料供应部的航空燃料流;和燃料电池组件,燃料电池组件包括具有固体氧化物燃...
  • 本申请公开了一种航天器主动防热护方法、装置、设备、介质及产品,涉及航天器热防护技术领域,该方法包括:获取航天器的第一状态参数与历史热环境数据;基于上述数据配置散热执行组件,该组件包含具有三维仿生分形结构的内置液态相变工质的内部冷却流道;随后...
  • 本发明公开了一种扑翼飞行器机构运动空行程和机构整体柔度的测量方法和测量装置,涉及微型飞行器领域,包括:在高速摄像测量平台上对飞行器翼杆进行加载,并记录翼杆一个运动周期下的图像;对记录的图像进行优化以及去噪处理后使用光流法捕捉运动的翼杆,并使...
  • 本实用新型公开了一种防拥塞的公路涵洞排水结构,涉及公路涵洞排水结构技术领域,包括涵洞本体,所述涵洞本体的前后侧固定连接有导流罩,所述涵洞本体的入口处固定连接有滤网,所述涵洞本体的前侧顶部固定连接有安装板,所述安装板的底部开设有滑槽,所述滑槽...
  • 本发明属于节能冷却设备技术领域,具体的说是一种双回路数据中心节能冷却装置,包括:架体,所述架体的内部设置有控制箱,所述控制箱设置有两个;补水机构,所述补水机构安装在架体内部靠近控制箱的一侧;调节机构,所述调节机构安装在补水机构的顶部,还包括...
  • 本申请涉及一种用于驱动镜头组件的马达组件及摄像模组,属于光学成像领域。本申请提供的用于驱动镜头组件的马达组件包括用于固定镜头组件的镜头载体、围绕所述镜头载体的支架、用于驱动所述镜头载体沿变焦方向运动的变焦驱动组件、用于驱动镜头组件在垂直于所...
  • 本发明公开了适配异形包装袋的柔性定位包装袋覆膜机,包括底座,所述底座的顶部安装有支撑架,使用时,将固定台插入底座内,通过卡板固定,将包装袋放置在固定台表面,将导管外接空气压缩机,进行抽气,通过负压气孔对包装袋进行吸附固定,将薄膜料辊表面的薄...
  • 本实用新型公开了一种中药饮片生产用原料清洗装置,包括箱体和支撑柱,所述箱体的底部表面四周与支撑柱固定连接;所述箱体的底部表面中间贯通连接有出水管,所述箱体的顶部表面卡合连接有盖板,所述盖板的顶部表面两侧对称安装有吊环,所述盖板的顶部表面中间...
  • 本实用新型公开了一种高频热压贴合瓦楞纸接缝密封装置,涉及瓦楞纸加工技术领域。本实用新型包括底座,所述底座上设置有脱模机构和下压缓冲机构,所述脱模机构包括固定连接在底座顶部的模具一,所述下压缓冲机构包括下压组件和两个缓冲组件,所述下压组件包括...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种改善半导体器件金属电极爬坡覆盖性的图形化工艺,工艺为:在第一金属电极上的P I层上涂布LOR光阻并软烘;在LOR光阻上涂布第一光阻层,并进行光刻开图,LOR光阻未曝光区域溶解形成undercut形貌...
  • 本申请涉及半导体器件技术领域,公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括:衬底;沟道层,位于衬底上;势垒层,位于沟道层远离衬底的一侧;钝化层,位于势垒层远离衬底的一侧;接触沟槽,贯穿钝化层以及势垒层,并从钝化层向衬底方向至少延伸至沟道...
  • 本申请涉及一种氮化镓器件结构及其制备方法,该氮化镓器件结构包括:衬底,所述衬底上形成有器件源极、器件漏极和主栅极结构,所述主栅极位于所述器件源极与所述器件漏极之间;辅助栅极结构,位于所述主栅极结构与所述器件漏极之间;互连金属层,同时覆盖所述...
  • 本发明涉及半导体技术领域,提供了一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括:SOI衬底,包括自下而上依次层叠的衬底、埋层和外延层;隔离区,位于所述外延层的侧边,所述隔离区与所述埋层接触;横向分布在所述外延层表面的漂移区和第一阱区;栅极结构...
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