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航空航天装置制造技术
  • 光学传感器元件、光学氧传感器和用于监测光学氧传感器的功能的方法
    光学传感器元件、光学氧传感器和用于监测光学氧传感器的功能的方法_恩德莱斯和豪瑟尔分析仪表两合公司_202111561405.9
    本发明涉及光学传感器元件、光学氧传感器和用于监测光学氧传感器的功能的方法。所述光化学传感器元件，包含：‑基材层，具有面向测量介质的第一基材侧和与所述第一基材侧相反的第二基材侧；‑功能层，布置在所述第一基材侧上且细分为至少两个彼此分开的功能区...
    2026-04-18
  • 离体肝移植物质量评估方法及评估成像系统
    离体肝移植物质量评估方法及评估成像系统_中国科学院苏州生物医学工程技术研究所_202511967343.X
    本发明公开了一种离体肝移植物质量评估方法及评估成像系统，其中，所述方法包括：利用常温机械灌注系统灌注待评估的肝移植物；确定评估时间点以向灌注系统注射预定剂量的ICG溶液；对注入第一剂量的肝移植物按照预定的第一采样周期采集灌注液样本，并测定样...
    2026-04-18
  • 一种氨基糖苷类抗生素双模可视化检测卡、制备方法及其应用
    一种氨基糖苷类抗生素双模可视化检测卡、制备方法及其应用_安徽工业大学_202610108681.6
    本发明涉及生化传感技术领域，具体涉及一种氨基糖苷类抗生素双模可视化检测卡、制备方法及其应用，该检测卡由两部分组成：氨基糖苷类抗生素双模标记试剂和定性滤纸。双模标记试剂是由茚三酮和镧系金属离子自组装而成，用于提供显色/比率荧光双模式检测信号；...
    2026-04-18
  • 一种光纤型时间分辨荧光光谱检测装置
    一种光纤型时间分辨荧光光谱检测装置_华中科技大学_202211583869.4
    本发明公开了一种光纤型时间分辨荧光光谱检测装置，属于光学仪器制造领域。包括：激光光源、采集光纤、光延时模块及控制模块；所述激光光源用于产生脉冲激光，并照射在荧光材料样本上或将脉冲激光耦合进所述采集光纤中，使样本产生荧光信号；所述采集光纤用于...
    2026-04-18
  • 增强模式高电子迁移率晶体管器件
    增强模式高电子迁移率晶体管器件_意法半导体股份有限公司_202320087745.0
    本公开的实施例涉及增强模式高电子迁移率晶体管器件。一种增强模式高电子迁移率晶体管器件包括半导体本体，该半导体本体具有顶表面并且包括被配置为生成二维电子气的异质结构。高电子迁移率晶体管器件包括在半导体本体的顶表面上延伸的栅极结构，可偏置以电控...
    2026-04-18
  • 一种香榧油生产用压榨去杂过滤装置
    一种香榧油生产用压榨去杂过滤装置_松阳县茂润农林科技有限公司_202520304649.6
    本实用新型公开了一种香榧油生产用压榨去杂过滤装置，包括箱体，箱体内壁与箱门转动连接，箱体内部设置放置筒，放置筒内部开设滑槽，滑槽内部设置滑块，滑块底面与弹簧固定连接，放置筒内部设置更换筒，更换筒外侧与限位块固定连接，放置筒内壁与固定板外侧固...
    2026-04-18
  • 一种塑料泡膜的制袋装置
    一种塑料泡膜的制袋装置_长春市鸿城伟业包装制品有限公司_202520696133.0
    本实用新型公开了一种塑料泡膜的制袋装置，涉及塑料泡膜加工技术领域，包括底板与泡膜料卷，所述底板的上端外表面固定连接有固定板与定位框，所述固定板位于定位框的一侧，所述底板的中部设置有滑槽，所述底板的上端外表面设置有隔热垫板与刻度，所述隔热垫板...
    2026-04-18
  • 一种铝电解阳极炭块喷涂机
    一种铝电解阳极炭块喷涂机_云南铝业股份有限公司_202310977340.9
    本发明涉及涂料喷涂装置技术领域，提供了一种铝电解阳极炭块喷涂机，包括移动车架和储料罐，储料罐安装于移动车架，储料罐设有出料管，出料管一端延伸至储料罐底部，出料管前端安装有用于喷涂的喷枪；出料管位于储料罐一端连接有防堵过滤组件，防堵过滤组件包...
    2026-04-18
  • 一种板材压合控制方法、电子设备、存储介质和一种板材压合装置
    一种板材压合控制方法、电子设备、存储介质和一种板材压合装置_广东瀚秋智能装备股份有限公司_202512023089.4
    本申请涉及板材加工的技术领域，尤其涉及一种板材压合控制方法、电子设备、存储介质和一种板材压合装置。本申请提供板材压合控制方法，先获取板材第一、第二贴合面的差异化压合参数，为后续计算奠基；再基于该参数推导两面适配的温度与压力区间，取压力区间交...
    2026-04-18
  • 一种3D打印装置用的物料预混设备
    一种3D打印装置用的物料预混设备_江苏威宝仕智能科技有限公司_202520987662.6
    本实用新型公开了一种3D打印装置用的物料预混设备，涉及3D打印物料预混技术领域，包括预混罐，所述预混罐的内部设置有导料组件，所述预混罐的顶部设置有搅拌机构，所述预混罐的表面设置有传动组件，所述导料组件和传动组件的部件均设置有四组；所述传动组...
    2026-04-18
  • 一种皮革鞣制用铬液收集再利用装置
    一种皮革鞣制用铬液收集再利用装置_肖杨_202520925692.4
    本实用新型涉及皮革加工领域，公开了一种皮革鞣制用铬液收集再利用装置，包括支撑架、收集箱、分离箱，所述支撑架的顶部设置有动力组件，所述支撑架的顶部固定连接有转块，所述转块的一端转动连接有转轴，所述转轴的一端转动连接有推拉杆，所述推拉杆的一端转...
    2026-04-18
  • 一种基于激光点云的输电线路通道树障生长安全预警方法及装置
    一种基于激光点云的输电线路通道树障生长安全预警方法及装置_国网湖北省电力有限公司荆门供电公司_202511918137.X
    一种基于激光点云的输电线路通道树障生长安全预警方法，包括：航线规划：上位机设计无人机飞行航线；现场测试：无人机搭载激光雷达采集点云数据和正摄影像；树障隐患处理：分析点云数据得树障与线路的垂直距离和水平距离、测试当天线路弧垂、测试当天树障高度...
    2026-04-18
  • 一种飞机机翼前缘仿生减振结构制备方法
    一种飞机机翼前缘仿生减振结构制备方法_吉林大学_202610106629.7
    本发明公开了一种飞机机翼前缘仿生减振结构制备方法，涉及飞机机翼技术领域，基于三维建模软件完成仿生袋鼠跳跃结构、仿生折纸蜂窝结构和仿生啄木鸟螺旋结构的建立，在Magics软件内将仿生袋鼠跳跃结构、仿生折纸蜂窝结构和仿生啄木鸟螺旋结构分区域填充...
    2026-04-18
  • 功率器件及其制备方法
    功率器件及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511657784.X
    本发明涉及一种功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该功率器件及其制备方法中，接触区可以将栅极沟槽处的高电场引到接触区下侧设置的第一柱状结构，由于第一柱状结构由源极沟槽向衬底方向延伸，电流会从接触区传至第一柱状结构，使得接触区与外延结构...
    2026-04-18
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_飞锃半导体(上海)有限公司_202512058327.5
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体基底；栅电极，所述栅电极包括第一栅电极掺杂区、第四栅电极掺杂区、第二栅电极掺杂区和第三栅电极掺杂区，所述第二栅电极掺杂区设置于所述第一栅电极掺杂区的第二端，所述第三栅电极掺杂区...
    2026-04-18
  • 一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
    一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法_电子科技大学_202211168952.5
    本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。本发明通过浮空P区(18)的电位，为分离栅(11)提供偏置电位，由此形成沟槽下方的电子积累能力，增强了电导调制能力，从而增强了器件的正向导通能力。相较于传统...
    2026-04-18
  • 一种防变形包装盒
    一种防变形包装盒_重庆市涪陵太极印务有限责任公司_202520950425.2
    本实用新型公开了一种防变形包装盒，包括下包装盒；还包括：所述下包装盒底部的一侧设置有防变形角，所述下包装盒上端的一侧固定连接有插接槽，所述下包装盒的中间设置有下支撑板；其中，所述下包装盒的上方设置有上包装盖，所述上包装盖下端的一侧固定连接有...
    2026-04-18
  • 一种液压测试台
    一种液压测试台_广州厚德航空科技有限公司_202610110780.8
    本发明涉及液压测试的技术领域，尤其涉及一种液压测试台，包括有箱盖、液压伸缩杆；箱体上转动连接有箱盖；箱体上固接有液压伸缩杆；液压伸缩杆的伸缩端固接有连接块一；箱体上固接有连接块二；连接块一上固接有电动推杆；电动推杆的伸缩端固接有半圆环一；半...
    2026-04-18
  • 一种用于硅油的高真空分离提纯设备
    一种用于硅油的高真空分离提纯设备_深圳市吉鹏硅氟材料有限公司_202520922740.4
    本实用新型公开了一种用于硅油的高真空分离提纯设备，包括罐体，所述罐体内部固定有精滤筒，所述精滤筒内部固定有粗滤筒，所述精滤筒和粗滤筒内壁均嵌有电加热丝，所述粗滤筒内部转动连接有转轴，所述转轴位于精滤筒和粗滤筒内部的轴身均安装有清洁组件，所述...
    2026-04-18
  • 多台阶与V型凹槽栅氮化镓P沟道场效应管及其制备方法
    多台阶与V型凹槽栅氮化镓P沟道场效应管及其制备方法_西安电子科技大学_202510078414.4
    本发明提供多台阶与V型凹槽栅氮化镓P沟道场效应管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。包括：从下到上依次设置的衬底层、缓冲层、势垒层、沟道层和帽层；凹槽，从帽层的上表面中间区域向下延伸，并贯穿帽层到沟道层内，凹槽的形状为多台阶型凹槽、V型凹...
    2026-04-18
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