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塑料加工应用技术
  • 三维造型方法和三维造型装置
    三维造型方法和三维造型装置_本田技研工业株式会社_202310310196.3
    本发明公开一种三维造型方法和三维造型装置。在三维造型方法和三维造型装置(10)中，多个层中的每一层的造型路径(66)包括用于造型包围空间(16)，且沿着内外方向相邻的内侧壁部(42)和外侧壁部(44)的内侧造型路径(68)和外侧造型路径(7...
    2026-04-29
  • 一种化学药品库房的安全预警方法
    一种化学药品库房的安全预警方法_苏州毕恩思实验器材有限公司_202610385578.6
    本发明涉及药品安全管理的技术领域，公开一种化学药品库房的安全预警方法，包括根据药瓶防御厚度与药品腐蚀速率，确定药瓶基准失效时间；根据密封结构的有效时间、老化剩余比例、环境加速因子以及损伤加速因子，确定密封结构的剩余时间；根据环境综合应力、使...
    2026-04-29
  • 一种循环过滤的环保水过滤机
    一种循环过滤的环保水过滤机_宜兴市鼎昌环保科技有限公司_202520956896.4
    本实用新型公开了一种循环过滤的环保水过滤机，包括壳体，所述壳体的内表面密封转动连接有筒体，所述筒体的顶部和底部均开设有贯穿至内部的T型孔，两个所述T型孔内均密封压合有过滤组件；所述筒体的外表面密封套接有两个弧形压杆，且弧形压杆固定嵌接在壳体...
    2026-04-29
  • 一种碳化硅晶圆及其制备方法
    一种碳化硅晶圆及其制备方法_成都中微晶体材料有限公司_202610137701.2
    本发明公开了一种碳化硅晶圆及其制备方法，涉及半导体技术领域。碳化硅晶圆的制备包括原料与籽晶准备阶段和晶体生长阶段；其中，原料与籽晶准备阶段采用激光将Ti箔高温熔化，将碳化硅籽晶焊接在石墨基底表面，焊接强度远高于传统胶粘，解决了石墨/SiC物...
    2026-04-29
  • 单晶炉导气装置和单晶炉
    单晶炉导气装置和单晶炉_双良硅材料(包头)有限公司_202520854137.7
    本实用新型公开了一种单晶炉导气装置和单晶炉。单晶炉导气装置包括：导气筒；轴条，固定在所述导气筒内，沿所述导气筒的直径方向延伸；两个扇叶，均呈半圆形平板状，其直线边界与所述轴条转动连接，分别位于所述轴条的两侧；两个上阻挡结构，分别位于所述两个...
    2026-04-29
  • 一种LED照明灯具
    一种LED照明灯具_佛山市南海立博照明电器有限公司_202311802678.7
    本申请涉及一种LED照明灯具，涉及LED照明的技术领域，包括灯罩，灯罩内安装有LED芯片与散热组件，散热组件包括传热件且传热件一侧与LED芯片连接，传热件背离LED芯片的一侧转动连接有散热轴且散热轴连接有散热片，散热片边缘与传热件贴合；所述...
    2026-04-29
  • 一种汽车排气管制造用的成型模具
    一种汽车排气管制造用的成型模具_天津展润集团股份有限公司_202610355634.1
    本发明属于汽车制造技术领域，具体的说是一种汽车排气管制造用的成型模具，包括下模具，下模具的上方设置有上模具，下模具和上模具之间设置有模芯，模芯的一侧固定有支撑架，支撑架的顶端和底端均安装有第一气缸，顶端第一气缸的输出杆与上模具的顶端固定连接...
    2026-04-29
  • 一种熔融金属液用过滤器
    一种熔融金属液用过滤器_济南圣泉倍进陶瓷过滤器有限公司_202520962877.2
    本申请提供了一种熔融金属液用过滤器，包括：中空外框；以及，层叠设置在中空外框内的多个粗滤支撑组件、位于粗滤支撑组件之间的过滤组件；其中，过滤组件包括：两层以上的过滤层；过滤层包括：多条并排同向设置的第一滤条，第一滤条呈波浪形且位于过滤层所在...
    2026-04-29
  • 一种电流变向半导体制冷片
    一种电流变向半导体制冷片_杭州绿程机电有限公司_202610209430.7
    本发明属于半导体热电制冷技术领域，公开了一种电流变向半导体制冷片，其特征在于，包括：上陶瓷片、下陶瓷片、以及设置于上陶瓷片与下陶瓷片之间的多个P型半导体结(P结)和N型半导体结(N结)，所述P结与N结通过连接铜片依次交替连接形成电偶对阵列；...
    2026-04-29
  • 一种电路测试点标识辅助装置
    一种电路测试点标识辅助装置_苏州诺思特微电子有限公司_202521043594.4
    本实用新型公开了一种电路测试点标识辅助装置，涉及测试点标识技术领域，包括打印机体，所述打印机体的上侧设置有操作按钮，所述打印机体的上侧开设有出纸口，所述打印机体的上侧设有连接板，且连接板的上侧固定连接有连接块，所述连接块的内部活动插设有连接...
    2026-04-29
  • 一种用于MEMS器件的条形夹具
    一种用于MEMS器件的条形夹具_芯智元智能设备制造(苏州)有限公司_202520967725.1
    本说明书涉及MEMS器件封装技术领域，具体地公开了一种用于MEMS器件的条形夹具，MEMS器件包括MEMS传感器和需要进行注塑工序的专用集成电路；条形夹具包括边框部和中央部；中央部包括间隔设置的多个平行的长条部；多个长条部中各长条部的两端分...
    2026-04-29
  • 一种极框和极板组件以及其加工方法
    一种极框和极板组件以及其加工方法_中国船舶重工集团公司第七一八研究所_202211719475.7
    本发明公开了一种极框和极板组件以及其加工方法。所述极框和极板组件包括极框和第二极板；所述极框包括塑料外框和第一极板，所述第一极板的一侧边缘嵌入所述塑料外框中；所述第二极板一侧边缘与所述第一极板的另一侧边缘对接后固定。通过塑料外框和第一极板实...
    2026-04-29
  • 一种高速铁路双块式无砟道床模块化建造施工方法
    一种高速铁路双块式无砟道床模块化建造施工方法_中铁上海工程局集团第三工程有限公司_202610140297.4
    本发明涉及轨道交通施工技术领域，具体为一种高速铁路双块式无砟道床模块化建造施工方法，包括底座板施工和道床板施工，有益效果为：通过设置模块化的轨排架、钢筋组件和预制模板，从而实现了双块式无砟道床建造模式的机械化、智能化、标准化施工，板式化轨排...
    2026-04-29
  • 一种拉晶收尾控制方法、装置及计算机存储介质
    一种拉晶收尾控制方法、装置及计算机存储介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202610346713.6
    本公开提供了一种拉晶收尾控制方法、装置及计算机存储介质，方法包括根据熔体表面及晶棒生长界面的图像数据，确定光圈特征和热场部件在熔体表面的倒影特征；基于光圈特征和预设光圈阈值，在光圈特征和倒影特征中确定目标参数；基于目标参数调整拉晶速度和/或...
    2026-04-29
  • 一种提手、储料盒以及3D打印机
    一种提手、储料盒以及3D打印机_深圳拓竹科技有限公司_202520103459.8
    本申请属于3D打印设备技术领域，尤其涉及一种提手、储料盒以及3D打印机。本申请提供了一种提手，本申请还提供了一种包括储料盒主体、盖板以及上述提手的储料盒，本申请还提供了一种包括上述提手或上述储料盒的3D打印机。本申请中，通过拉动提手带动安装...
    2026-04-29
  • 一种用于励磁组件与探卡组件定位的机构
    一种用于励磁组件与探卡组件定位的机构_致真精密仪器(青岛)有限公司_202410186291.1
    本发明提供了一种用于励磁组件与探卡组件定位的机构，包括用于产生磁场的励磁组件、用于测量电变量的探卡组件、限位装置，通过定位结构使励磁组件与探卡组件的位置相对固定，具有磁场环境的预设区域与探卡组件的位置和方向也相对确定，进而对探针端部与预设区...
    2026-04-29
  • 用于真空3D打印的粉体储存-出料装置
    用于真空3D打印的粉体储存-出料装置_武汉理工大学_202510195084.7
    本发明公开一种用于真空3D打印的粉体储存‑出料装置，包括用于储存粉体的粉仓，粉仓的上端设有可启闭的进料口、上部内侧设有用于搅拌以防止粉体堆积堵塞的搅拌机构、下部为斗状部、下端设有直线形的出料口；粉仓外部安装有用于驱动搅拌机构的电机、用于精确...
    2026-04-29
  • 一种水平井连续油管爆炸法高强度套管整形施工工艺
    一种水平井连续油管爆炸法高强度套管整形施工工艺_中国石油天然气股份有限公司_202411507708.6
    本发明公开了一种水平井连续油管爆炸法高强度套管整形施工工艺，包括核实套管形变位置及变化情况，依据套管的具体形变选择整形工具，验证定位接头遇阻点并做标记，实施爆炸整形，起爆后整体效果分析。本发明采用连续油管与爆炸法套管整形结合的施工方法，定位...
    2026-04-29
  • 自断路式电缆
    自断路式电缆_宜昌红旗中泰电缆有限公司_202510889046.1
    本发明提供了自断路式电缆，包括保护层、并列设置在保护层内的若干根导体以及设置在导体与保护层之间的若干组断路连接套，断路连接套包括同轴并列设置的两个套体，套体相对端面上未通过导体的部分设置有分离组件，分离组件受热后推动两个套体相互远离；导体包...
    2026-04-29
  • 一种锗单晶位错水平控制方法
    一种锗单晶位错水平控制方法_有研国晶辉新材料有限公司_202510943833.X
    本发明提供了一种锗单晶位错水平控制方法，属于锗单晶位错控制技术领域，包括制备多个无位错的锗单晶；将多个锗单晶上下分层放置于模具内，且锗单晶与模具内壁之间具有安装间距；将模具放置于炉体内，且模具位于炉体中的加热器中心位置；对炉体进行抽空且充入...
    2026-04-29
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