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塑料加工应用技术
  • 一种单晶炉的保温装置
    一种单晶炉的保温装置_安徽联效科技有限公司_202521203987.7
    本实用新型涉及单晶炉保温技术领域，尤其涉及一种单晶炉的保温装置，包括保温室和气室，两个所述气室均固定连接在所述保温室外表面，所述保温室内安装有两个保温部件，所述保温部件包括压力室、推板、推杆、封闭环、进气塞，所述气室与所述保温室通过所述压力...
    2026-05-15
  • 高速喷墨打印系统及方法
    高速喷墨打印系统及方法_深圳市汉森软件股份有限公司_202210903417.3
    本发明公开了一种高速喷墨打印系统及方法，涉及喷墨打印技术领域。所述高速喷墨打印系统包括：上位机，PCIE转接模块，数据分发模块，喷头驱动模块，喷头，接口控制模块。所述高速喷墨打印系统通过PCIE转接模块分别连接上位机与数据分发模块，并利用P...
    2026-05-15
  • 一种大型风洞叶片及其制备方法
    一种大型风洞叶片及其制备方法_中国人民解放军国防科技大学_202610200650.3
    本发明公开了一种大型风洞叶片，压力面壳体和压力面主梁共固化成一体，压力面壳体于压力面主梁的一侧粘接多个第一肋板，吸力面壳体和吸力面主梁共固化成一体，吸力面壳体于吸力面主梁的一侧粘接多个第二肋板，压力面主梁和吸力面主梁粘接形成整体主梁，金属叶...
    2026-05-15
  • 一种蜗壳风机、吸油烟机及蜗壳风机的控制方法
    一种蜗壳风机、吸油烟机及蜗壳风机的控制方法_杭州老板电器股份有限公司_202610356900.2
    本发明涉及厨房电器技术领域，具体公开了一种蜗壳风机、吸油烟机及蜗壳风机的控制方法，该蜗壳风机包括蜗壳、叶轮和清洁组件，叶轮包括可转动地设置于蜗壳内的叶轮架，以及沿叶轮架的圆周方向均匀设置于叶轮架的多个叶片，叶片具有沿叶轮的转动方向相背设置的...
    2026-05-15
  • 一种废盐酸提纯回收用浓缩塔
    一种废盐酸提纯回收用浓缩塔_江苏富强新材料有限公司_202520664605.4
    本实用新型公开了一种废盐酸提纯回收用浓缩塔，属于废盐酸提纯回收相关技术领域，包括浓缩塔，所述浓缩塔的底部安装有电机，浓缩塔的一侧设置有导料组件，浓缩塔的顶部表面安装有盐酸收集组件，本实用新型通过设置导料组件，实现了该设备在使用时，能够将需要...
    2026-05-15
  • 抹平装置
    抹平装置_湖南五新智能科技有限公司_202521088473.1
    本申请提供一种抹平装置。抹平装置包括装置本体、抹平模块和驱动模块，所述驱动模块安装在所述装置本体上，所述抹平模块与所述驱动模块相连；所述驱动模块包括第一驱动组件和第二驱动组件，所述第二驱动组件设置为驱动所述抹平模块沿垂直于所述抹平装置行进方...
    2026-05-15
  • 碳化硅晶体生长装置及生长方法
    碳化硅晶体生长装置及生长方法_内蒙古晶环电子材料有限公司_202511299615.3
    本申请提供了一种碳化硅晶体生长装置及生长方法，属于碳化硅晶体生长技术领域，解决了现有技术晶体扩径生长气氛的量难以控制的问题。本申请包括坩埚、扩径环、隔断组件以及加热组件，扩径环设置于籽晶固定区外周侧，扩径环具有倾斜面，隔断组件包括分隔环和罩...
    2026-05-15
  • 晶体生长坩埚及晶体生长炉
    晶体生长坩埚及晶体生长炉_北京七星华创电子股份有限公司_201610959357.1
    本发明提供了一种晶体生长坩埚，在其顶壁上设置有用于固定籽晶的安装位，在所述安装位上还设置有传热层，所述传热层的所在平面上的导热系数大于厚度方向上的导热系数。本发明提供的晶体生长坩埚及晶体生长炉，可以很有效地降低晶体热场的径向温度梯度，从而可...
    2026-05-15
  • 一种防液面波动的氟化钙晶体制备装置及生长工艺
    一种防液面波动的氟化钙晶体制备装置及生长工艺_河南微米光学科技有限公司_202610241480.3
    本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种防液面波动的氟化钙晶体制备装置及生长工艺。装置包括钟罩、坩埚、环绕式可移动加热器、可拆卸式导流结构及专用连接装置，坩埚内壁设有复合涂层以优化界面性能；工艺采用真空抽排与惰性气体保护相结合的气氛调控方式...
    2026-05-15
  • 单晶硅棒的制备方法、装置和硅片
    单晶硅棒的制备方法、装置和硅片_青海晶科能源有限公司_202610465679.4
    本申请涉及一种单晶硅棒的制备方法、装置和硅片。所述方法包括：监测晶棒的直径变化趋势和熔体的温度变化趋势，识别调控启动时间点；在直径变化趋势和/或温度变化趋势满足预设的调节条件，并在满足调控启动时间点时，调整熔体的加热功率和晶棒的提升速度中的...
    2026-05-15
  • 一种趣味圆珠笔
    一种趣味圆珠笔_浙江一正文化用品有限公司_202520687189.X
    本实用新型公开了一种趣味圆珠笔。该趣味圆珠笔包括笔杆、笔芯、按压组件、第一仿形件以及第二仿形件；笔芯至少部分设置在笔杆内；按压组件至少部分套设在笔芯上且活动设置于笔杆内；第一仿形件和第二仿形件安设于笔杆的顶部，第一仿形件至少部分穿设笔杆与按...
    2026-05-15
  • 一种充电桩充电站电气火灾检测监测装置
    一种充电桩充电站电气火灾检测监测装置_山西华通电力有限公司_202521062425.5
    本实用新型公开了一种充电桩充电站电气火灾检测监测装置，涉及电气火灾预防技术领域，包括安装座和局部放电监测智能终端本体，所述安装座上安装有一对支撑板，所述支撑板上活动设置有第一支撑块，所述第一支撑块内设置有空腔，所述空腔内活动设置有第二支撑块...
    2026-05-15
  • 一种电镀蚀刻线用的收板机
    一种电镀蚀刻线用的收板机_赣州市超跃科技股份有限公司_202520241932.9
    本实用新型涉及电路板生产技术领域，提出了一种电镀蚀刻线用的收板机，包括固定架；固定连接在所述固定架一侧的控制器；所述气动伸缩杆的输出端固定连接有滑动板，所述滑动板的两侧设置有负压座，所述负压座的底端等间距固定连接有负压吸盘；设置在所述固定架...
    2026-05-15
  • 一种带有涂层的碳质材料及其制备方法
    一种带有涂层的碳质材料及其制备方法_湖南泰坦未来科技有限公司_202310321788.5
    本发明公开了一种带有涂层的碳质材料及其制备方法，材料由以下方法制得：(1)在基体表面形成微结构凹槽，并制备金属催化剂层；(2)使用含硅浆料对基体进行浸渗处理；(3)将碳质材料基体加热生长形成碳化硅纳米线连接层，得到中间产品A；(4)在中间产...
    2026-05-15
  • 一种单晶硅生长热场石墨制品的加工制造工艺及系统
    一种单晶硅生长热场石墨制品的加工制造工艺及系统_辽阳兴旺石墨制品有限公司_202511597948.4
    本发明涉及单晶硅热场材料制备技术领域，公开了一种单晶硅生长热场石墨制品的加工制造工艺及系统。该工艺包括S1，预制坯制备、S2，焙烧处理、S3，指标检测分级、S4，装炉分区、S5，石墨化处理、S6，机加工成型步骤，通过精准控制预制坯制备参数、...
    2026-05-15
  • 一种石英坩埚成型棒
    一种石英坩埚成型棒_包头晶澳太阳能科技有限公司_202520787578.X
    本申请涉及石英坩埚生产技术领域，具体提供一种石英坩埚成型棒，包括：成型棒主体，所述成型棒主体中空设置，并且具有与石英坩埚匹配的轮廓且包括底端和顶端，所述成型棒主体的底端内部设置有多个定位槽；成型棒尖，所述成型棒尖活动地设置在所述成型棒主体的...
    2026-05-15
  • 一种激光开袋装置
    一种激光开袋装置_鹤林(宁波)缝制机械有限公司_202521175307.5
    本实用新型公开了一种激光开袋装置，包括机架，机架上设置有工作台，机架上还设置有压紧机构和吸附组件，压紧机构包括压紧件、横移组件和升降组件，横移组件用于驱动升降组件横向移动，升降组件用于驱动压紧件升降，工作台设有升降口以及压紧工位，压紧件可从...
    2026-05-15
  • 一种激光开袋压紧机构
    一种激光开袋压紧机构_鹤林(宁波)缝制机械有限公司_202521175326.8
    本实用新型公开了一种激光开袋压紧机构，包括设置有工作作业区的工作台，所述工作台开设有活动孔内设置有移动板，所述工作台设置有平移组件和升降组件，所述平移组件用于驱动所述升降组件平移，所述升降组件用于驱动所述移动板升降；通过设置的升降组件和平移...
    2026-05-15
  • 一种直拉单晶炉加料系统
    一种直拉单晶炉加料系统_安徽联效科技有限公司_202610247765.8
    本发明公开了一种直拉单晶炉加料系统，包括筒体，所述筒体的上端设有筒盖，所述筒体内设有定量落料组件，所述定量落料组件包括固定连接在筒体内的落料斗，所述落料斗的内底部设有落料口，所述筒体的左右两侧内壁共同转动连接有转杆，所述转杆上固定连接有圆盘...
    2026-05-15
  • 石英玻璃坩埚
    石英玻璃坩埚_胜高股份有限公司_202610365114.9
    本发明涉及一种充分地确保坩埚内表面及外表面的强度。本发明的一方式为具备圆筒状的侧壁部、弯曲的底部、设置于侧壁部与底部之间且具有比底部的曲率高的曲率的角部的石英玻璃坩埚，该石英玻璃坩埚具备：第1区域，在壁厚方向上从坩埚内表面设置至中途；第2区...
    2026-05-15
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