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最新专利技术
  • 基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序、基板处理装置以及气体供给系统
    基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序、基板处理装置以及气体供给系统_株式会社国际电气_202480065495.8
    本发明提供一种技术，能够抑制原料气体的供给不足导致的基板面内的膜特性均匀性和面间的膜特性均匀性中的任一方或双方的恶化。一种基板处理方法，具有以下工序：(a)关闭第一气体管的第一阀，从所述第一气体管的上游侧供给原料气体，在所述第一气体管内贮存...
    2026-05-14
  • 温度控制系统、温度控制方法、半导体装置的制造方法以及基板处理装置
    温度控制系统、温度控制方法、半导体装置的制造方法以及基板处理装置_株式会社国际电气_202480065557.5
    提供一种技术，能够抑制辅助加热器的发热丝温度上升，确保辅助加热器的寿命。一种温度控制系统，具有：第一加热器，其设置成被分割为各区域，并对在内部配置有基板的处理容器进行加热；第二加热器，其对与所述各区域中的特定区域对应的所述第一加热器的加热进...
    2026-05-14
  • 基板处理装置、等离子体生成装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及程序
    基板处理装置、等离子体生成装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及程序_株式会社国际电气_202480065850.1
    提供一种能够进行更均匀的基板处理的技术。一种基板处理装置，具有：处理室，其处理基板；以及第一电极单元，其包括：第一电极部，其具有长度相等的第一电极和第二电极，该第一电极被施加高频电力，该第二电极被赋予基准电位；第二电极部，其具有长度与所述第...
    2026-05-14
  • 基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置
    基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置_株式会社国际电气_202480065596.5
    提供一种能够提高膜特性的技术。一种基板处理方法，具有以下工序：a)向基板供给第一原料；b)以第一量向所述基板供给第一反应剂；c)以第二量向所述基板供给第二反应剂；d)进行规定次数的a)和b)，在所述基板上形成第一层；e)进行规定次数的a)和...
    2026-05-14
  • 基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序
    基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序_株式会社国际电气_202480065868.1
    本发明具有：工序(a)，将包含工序(a1)的循环执行规定次数并在基板上形成含有第1元素的规定物质的膜，该工序(a1)是在规定条件下，对在表面具有凹部的上述基板供给第1气体，并在上述基板的表面形成含有上述第1元素的第1物质，上述规定条件满足温...
    2026-05-14
  • 基板处理方法、半导体装置的制造方法、硬掩模形成方法、基板处理装置及程序
    基板处理方法、半导体装置的制造方法、硬掩模形成方法、基板处理装置及程序_株式会社国际电气_202480064929.2
    本发明具备通过将基板暴露在原料气体中而沉积初始膜的工序，具备：(a)准备基板的工序，通过将循环进行预定次数，在所述基板上形成晶粒尺寸得到控制的预定厚度的多层膜，且对该多层膜进行图案化，该循环包括将所述基板暴露在原料气体中而沉积第一膜的工序、...
    2026-05-14
  • 激光照射装置、激光照射方法和用于制造半导体器件的方法
    激光照射装置、激光照射方法和用于制造半导体器件的方法_JSW阿克迪纳系统有限公司_202380103182.2
    根据这一实施方式的激光照射装置包括：激光光源，其被构造成产生激光；光学系统，其被构造成用激光照射基板；输送机构，其被构造成输送基板；以及驱动单元，其被构造成驱动输送机构，其中，该驱动单元包括：第一马达和第二马达，其被构造成使输送机构移动；P...
    2026-05-14
  • 调节方法以及等离子体处理系统
    调节方法以及等离子体处理系统_东京毅力科创株式会社_202480065118.4
    一种能够向内部供给含钨气体并对收容在该内部的基片实施等离子体处理的等离子体处理腔室的调节方法，其具有如下工序：(A)利用不包含所述含钨气体的气体，从所述等离子体处理腔室内除去水分的工序；以及(B)在所述(A)的工序之后，通过一边供给包含所述...
    2026-05-14
  • 处理方法、半导体装置的制造方法、处理装置以及程序
    处理方法、半导体装置的制造方法、处理装置以及程序_株式会社国际电气_202480065586.1
    具有如下工序：(a)使在表面具有第一材料和含有与构成所述第一材料的元素相同的元素的第二材料的基板暴露于改性剂，从而对所述第一材料的表面进行改性，以使构成所述改性剂的分子的分子结构的至少一部分X吸附于所述第一材料的表面而形成第一抑制剂层；以及...
    2026-05-14
  • 基板处理装置、基板处理方法及基板处理程序
    基板处理装置、基板处理方法及基板处理程序_株式会社斯库林集团_202480065111.2
    通过向形成有被膜的基板供给处理液而处理被膜的基板处理装置具备：旋转驱动部，其保持基板W且使基板旋转；喷出部，其喷出处理液；处理液供给部，其向喷出部供给处理液；喷出驱动部，其使喷出部移动至由旋转驱动部保持的基板上的在基板的径向上不同的复数个位...
    2026-05-14
  • 硅晶片的研磨方法
    硅晶片的研磨方法_胜高股份有限公司_202480064844.4
    提供PID个数较少的硅晶片以及能够制造该硅晶片的硅晶片的研磨方法。根据本发明的硅晶片的研磨方法具备：F/T值计算工序(S11)，在硅晶片的研磨工序中，测量将旋转平台旋转驱动的马达的负载电流值F和研磨垫的表面温度T，计算F/T值；PID评价工...
    2026-05-14
  • CMP研磨用添加剂和包含该添加剂的CMP研磨用组合物
    CMP研磨用添加剂和包含该添加剂的CMP研磨用组合物_日油株式会社_202480065546.7
    本发明可以提供一种可通过CMP研磨用添加剂而在不使用经表面修饰的金属氧化物等粒子作为磨粒的情况下抑制磨粒的凝聚、提高研磨速度的技术，所述CMP研磨用添加剂包含如下聚羧酸系共聚物，该聚羧酸系共聚物的重均分子量为14000以下并且包含如下化合物...
    2026-05-14
  • 基板处理方法
    基板处理方法_周星工程股份有限公司_202480065222.3
    本公开涉及一种基板处理方法，更具体地，涉及一种用于在基板上生长薄膜的基板处理方法。根据示例性实施例的基板处理方法包括在反应空间中准备基板的准备步骤、将基板暴露于第一等离子体的清理步骤、在基板上形成薄膜的薄膜形成步骤以及将形成有薄膜的基板暴露...
    2026-05-14
  • 基板处理装置、气体供给抑制构造、基板处理方法及半导体装置的制造方法
    基板处理装置、气体供给抑制构造、基板处理方法及半导体装置的制造方法_株式会社国际电气_202480064754.5
    具有：处理室，其处理基板；基板支撑部，其设置于上述处理室，能够支撑第一基板或外径比上述第一基板小的第二基板；气体供给部，其设置于与上述基板支撑部对置的位置，具有内径比上述第二基板的外径大的环状的第一区域、以及设置于上述第一区域的内周侧的第二...
    2026-05-14
  • 芯片拾取装置
    芯片拾取装置_松下知识产权经营株式会社_202480064915.0
    芯片拾取装置具备：拾取头，其具有保持件；以及芯片顶起装置，其从粘合片的下表面将芯片顶起而辅助保持件对芯片进行保持。芯片顶起装置包括：筒状体，其具有内部空间；盖，其具有与粘合片抵接的上表面、在上表面开口的贯通孔、以及向上表面导入负压的空气流路...
    2026-05-14
  • 基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法及程序
    基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法及程序_株式会社国际电气_202480065134.3
    本发明具有：处理室，其处理基板；基板支撑部，其具备能够在所述处理室内支撑基板的基板支撑面；第一气体供给部，其能够经由第一气体供给孔向所述处理室供给处理气体；第二气体供给部，其能够经由第二气体供给孔向所述基板支撑部的侧方供给非处理气体；第一壁...
    2026-05-14
  • 非PFAS流体在液态和超临界流体状态下流经衬底处理系统部件的循环
    非PFAS流体在液态和超临界流体状态下流经衬底处理系统部件的循环_朗姆研究公司_202480065202.6
    用以处理衬底的衬底处理系统包含部件、冷却回路和至少一个控制器。该部件包含一个或更多冷却剂通道。冷却回路被配置成使非PFAS流体循环通过一个或更多冷却剂通道以冷却第一部件。非PFAS流体满足以下至少一者：i)不存在多氟烷基物质且不存在全氟烷基...
    2026-05-14
  • 从半导体晶圆回收有机污染物的系统和方法
    从半导体晶圆回收有机污染物的系统和方法_基础科学公司_202480065246.9
    本发明描述了线内/在管线中生成有机溶剂扫描溶液和校准标准物以用于半导体晶圆分析的系统和方法。方法实施例包括但不限于：经由泵系统从第一有机化学源抽吸第一有机溶剂；经由所述泵系统从第二有机化学源抽吸第二有机溶剂；将所述第一有机溶剂和所述第二有机...
    2026-05-14
  • 用于处理晶圆的装置
    用于处理晶圆的装置_朗姆研究公司_202480065968.4
    晶圆处理装置包括：用于支撑晶圆的支撑件；经由第一流动路径与液体源连接的第一分配喷嘴；经由第二流动路径与液体源连接的第二分配喷嘴；在第一流动路径中的第一阀；以及在第二流动路径中的第二阀；其中，第一分配喷嘴和第二分配喷嘴配置为定位在由支撑件所支...
    2026-05-14
  • 载台装置、光刻装置和物品制造方法
    载台装置、光刻装置和物品制造方法_佳能株式会社_202480065376.2
    一种载台装置包括：载台；致动器，其驱动所述载台，具有与所述载台一起移动的动子和对动子产生推力的定子；陀螺力矩产生单元，其连接至所述动子；以及控制单元，其控制陀螺力矩产生单元，使得通过使用致动器驱动载台而作用于动子上的力矩的至少一部分被陀螺力...
    2026-05-14
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