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最新专利技术
  • 一种旋转气流式聚焦离心纺丝装置
    一种旋转气流式聚焦离心纺丝装置_武汉纺织大学_202610208893.1
    一种旋转气流式聚焦离心纺丝装置，包括传动轴及沿其轴向依次配合的进气模块、气流传导模块、离心纺丝模块；进气模块设中空气流腔及进风接口，与传动轴转动配合；流传导模块包括与传动轴固定连接的传导轴和气流传导板，传导轴开设有若干导流孔，各孔内连接有气...
    2026-05-03
  • 一种全封闭式的纳米纤维生产装置
    一种全封闭式的纳米纤维生产装置_深圳中柔科技有限公司_202411513276.X
    本发明涉及纳米纤维生产设备技术领域，公开了一种全封闭式的纳米纤维生产装置，包括进风箱、出风箱、纤维收集箱、风扇、挡风罩和纺丝装置；依次连接的进风箱、出风箱和纤维收集箱形成密闭空间；进风箱的箱壁开设有进风管安装孔；风扇安装于上隔板，风扇的顶部...
    2026-05-03
  • 基于在线张力与温度协同控制的涤纶复合长丝纺丝牵伸工艺及系统
    基于在线张力与温度协同控制的涤纶复合长丝纺丝牵伸工艺及系统_浙江旭龙新材料有限公司_202610398942.2
    本发明公开了一种基于在线张力与温度协同控制的涤纶复合长丝纺丝牵伸工艺及系统。该工艺在牵伸加热区在线采集张力、丝束表面温度、各级牵伸加热区加热温度及牵伸辊线速度；基于上述数据在线建立并更新张力—温度耦合关系模型，采用滚动数据对模型参数进行校正...
    2026-05-03
  • 一种复合丝梯度冷却工艺
    一种复合丝梯度冷却工艺_兴惠化纤集团有限公司_202610180724.1
    本发明涉及复合丝冷却技术领域，公开了一种复合丝梯度冷却工艺，该工艺包括以下步骤：S1、将熔融的复合丝丝条导入第一冷却区段，并采用第一冷却介质对所述复合丝丝条进行预取向处理；S2、将经过步骤S1处理的所述复合丝丝条导入第二冷却区段，并采用由反...
    2026-05-03
  • 一种超细旦多孔涤纶纤维的制备方法
    一种超细旦多孔涤纶纤维的制备方法_桐昆集团浙江恒通化纤有限公司_202610205203.7
    本发明属于涤纶纤维技术领域，公开了一种超细旦多孔涤纶纤维的制备方法，其制备方法为：聚酯熔体通过喷丝板挤出后，经冷却、上油、拉伸和卷绕制得超细旦多孔涤纶纤维；喷丝板孔数≥288孔，外径为88~105mm，内径为77~93mm；记喷丝板上直径＜...
    2026-05-03
  • 一种芳纶干湿法纺丝方法
    一种芳纶干湿法纺丝方法_江苏新视界先进功能纤维创新中心有限公司_202610259005.9
    本发明涉及一种芳纶干湿法纺丝方法，属于纤维技术领域，用以解决现有方法操作难度大、不能连续生产、凝固效果差、易出现并丝现象、浆液易在喷丝板面漫流、纤维力学性能差等问题中至少一个。一种芳纶干湿法纺丝方法包括：将芳纶纺丝原液经喷丝板挤出成初生丝，...
    2026-05-03
  • 一种基于海藻纤维膜的生物基储酒容器及其制备方法
    一种基于海藻纤维膜的生物基储酒容器及其制备方法_中国海洋大学_202610144036.X
    本发明公开了一种基于海藻纤维膜的生物基储酒容器及其制备方法，属于绿色包装材料领域。本发明容器以藻渣复合体为结构基体，其内壁通过静电纺丝技术原位生长海藻纳米纤维膜作为核心功能层。该纤维膜与基体形成“根须式”三维机械互锁，附着力强，并作为柔性应...
    2026-05-03
  • 一种碱式硫酸镁晶须的超疏水改性方法
    一种碱式硫酸镁晶须的超疏水改性方法_河北工业大学_202610138956.0
    本发明为一种碱式硫酸镁晶须的超疏水改性方法。该方法包括如下步骤：向水醇溶液中加入无水丙酸，得到pH值为4~6的酸性水醇溶液；将POTS加入酸性水醇溶液中，混合后得到酸性POTS溶液；将酸性POTS溶液密闭并磁力搅拌、在40~50℃下恒温搅拌...
    2026-05-03
  • 一种本征超晶格单晶材料及其制备方法
    一种本征超晶格单晶材料及其制备方法_中国科学院合肥物质科学研究院_202610391043.X
    本发明公开了一种本征超晶格单晶材料及其制备方法，属于单晶生长技术领域。该单晶的化学式为BaLaMnSb4，其晶体结构由BaMnSb2层和LaSb2层在垂直于层方向上以本征超晶格形式交替堆叠而成。本发明利用自助熔剂方法生长出具有本征超晶格的新...
    2026-05-03
  • 一种二维二硒化锡晶体及其制备方法与应用
    一种二维二硒化锡晶体及其制备方法与应用_广东工业大学_202610387402.4
    本发明涉及二维层状材料制备技术领域，具体涉及一种二维二硒化锡晶体及其制备方法与应用。本发明提供了一种二维二硒化锡晶体的制备方法，在单温区管式炉内部，按照气流方向依次放置硒源、锡源和空白衬底，调节进气口法兰的轴向方向相对于单温区管式炉的内管的...
    2026-05-03
  • 一种二维热电AgSbSe2晶体及其制备方法
    一种二维热电AgSbSe2晶体及其制备方法_西安电子科技大学_202610373256.X
    本发明涉及热电材料技术领域，具体涉及一种二维热电AgSbSe2晶体及其制备方法。该二维热电AgSbSe2晶体的制备方法，包括：将AgI粉和Sb粉混合后得到的混合前驱体放置于助熔盐基质层上；将等离子清洗后的云母衬底倒扣于混合前驱体上方，云母衬...
    2026-05-03
  • 引入激光表层处理的硅上砷化镓材料异质外延生长的方法
    引入激光表层处理的硅上砷化镓材料异质外延生长的方法_北京邮电大学_202511801882.6
    本发明提供一种引入激光表层处理的硅上砷化镓材料异质外延生长的方法。该方法包括：在硅衬底上生长低晶化程度的砷化镓低温层，采用激光表层处理的方式将砷化镓低温层的表层晶化；在表层晶化处理后的砷化镓低温层上生长砷化镓中温层，采用激光表层处理的方式将...
    2026-05-03
  • 氮化镓单晶基板及其制造方法
    氮化镓单晶基板及其制造方法_住友化学株式会社_202511379902.5
    本发明提供实现了缘部的应力降低的氮化镓单晶基板的制造技术。氮化镓单晶基板是圆形的基板，由单晶的氮化镓构成，具有通过用荧光显微镜观察主面而观察到明暗条纹状的同心圆状的条纹，其中，基板的圆形的中心即基板中心配置于从条纹的同心圆的中心即条纹中心偏...
    2026-05-03
  • 碳化硅外延修正装置与碳化硅外延设备
    碳化硅外延修正装置与碳化硅外延设备_中科汇珠(广州)半导体有限公司_202511950321.2
    本申请涉及一种碳化硅外延修正装置与碳化硅外延设备，包括处理腔室，处理腔室内通入有刻蚀气流；设置于处理腔室内的承载盘，用于放置待修正晶圆并带动待修正晶圆旋转，以通过刻蚀气流对待修正晶圆的外延层的膜层厚度进行修正；设置于承载盘远离待修正晶圆的一...
    2026-05-03
  • 一种低液面导流供料的氧化镓晶体生长方法
    一种低液面导流供料的氧化镓晶体生长方法_北京铭镓半导体有限公司_202610386278.X
    本申请公开了一种低液面导流供料的氧化镓晶体生长方法，属于晶体生长技术领域。该方法包括：在坩埚内放置初始量的氧化镓原料，使得原料熔化后熔体液面恰好与贯穿坩埚底部的熔体导流装置的导流通道入口齐平；对坩埚进行加热使原料熔化，并维持熔体液面与导流通...
    2026-05-03
  • 单晶炉
    单晶炉_青海晶科能源有限公司_202610179055.6
    本申请提供了一种单晶炉，炉体设置有连通其内腔的导气孔，坩埚设置于炉体的内腔中，保温筒设置于炉体的内腔中，且保温筒至少围绕在坩埚的至少一部分外周区域，隔热筒设置于保温筒的内腔中，且隔热筒围绕在坩埚的至少一部分外周区域，隔热筒和保温筒之间形成导...
    2026-05-03
  • 一种快速实现晶格弛豫的III族氮化物薄膜的制备方法
    一种快速实现晶格弛豫的III族氮化物薄膜的制备方法_北京大学_202610040056.2
    本发明公开了一种快速实现晶格弛豫的III族氮化物薄膜的制备方法，属于半导体薄膜生长技术领域。本发明通过调整多周期超晶格中两种III族氮化物的晶格常数差值和厚度，控制应力缓慢积累，结合生长条件控制，缓慢积累的压应力导致超晶格采用SK生长，释放...
    2026-05-03
  • 一种气相外延生长温流协同控制方法及系统
    一种气相外延生长温流协同控制方法及系统_西安唐晶量子科技有限公司_202610409013.7
    本发明属于晶体生长控制技术领域，具体涉及一种气相外延生长温流协同控制方法及系统，其方法包括：实时采集反应室各温区的加热功率、实时温度及工艺气体流量，经时序对齐与滤波后，基于加热功率与实时温度构建表征晶圆局部几何形变趋势的等效热耦合间隙因子；...
    2026-05-03
  • 一种外延片的制备方法、外延片、半导体器件及半导体生长设备
    一种外延片的制备方法、外延片、半导体器件及半导体生长设备_江苏第三代半导体研究院有限公司_202610044427.4
    本发明提供了一种基于半导体生长设备的外延片的制备方法、外延片、半导体器件及半导体生长设备，该方法包括：将衬底放置于反应室内；控制第一喷口与第二喷口分别向衬底表面喷射铝源与氮源，并控制可变喷口向衬底表面喷射氮源以调整反应室中心区域中铝源与氮源...
    2026-05-03
  • 一种混合式快速气相外延生长系统
    一种混合式快速气相外延生长系统_苏州觉知科技有限公司_202512041067.0
    本发明涉及III‑V族化合物半导体外延生长技术领域，尤其是一种混合式快速气相外延生长系统及方法。该系统包括主反应腔模块和外置发生装置模块，其中主反应腔模块采用MOCVD结构，用于承载衬底并完成III‑V族多层外延生长；外置发生装置模块设置于...
    2026-05-03
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