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最新专利技术
  • 一种基于光电离源的氧原子诱导解离装置和方法
    一种基于光电离源的氧原子诱导解离装置和方法_中国科学院大连化学物理研究所_202610121929.2
    本发明涉及质谱分析仪器技术领域，特别涉及一种基于光电离源的氧原子诱导解离装置和方法。该装置包括进样毛细管、电离源腔体、推斥电极、真空紫外氘灯、传输电极组及差分电极；推斥电极、传输电极组和差分电极依次平行间隔设置于电离源腔体内，真空紫外氘灯穿...
    2026-05-12
  • 质谱仪及其密封移送一体化装置
    质谱仪及其密封移送一体化装置_中科质鑫(常州)医疗科技有限公司_202512011044.5
    本发明公开了一种质谱仪及其密封移送一体化装置，其中，该装置包括：与进样室的进样口相对应的托举机构，所述托举机构上承载有一可分离的、用于盛装检测芯片的芯片载具；以及，承载于主真空室的平移装置，所述平移装置包括：滑动式装配于所述主真空室的载料平...
    2026-05-12
  • 一种光电倍增管的封装装置及方法
    一种光电倍增管的封装装置及方法_南京永纪光电科技有限公司_202511985731.0
    本发明公开了一种光电倍增管的封装装置及方法，具体涉及光电倍增管封装技术领域，包括基座，所述基座上固定安装有光电倍增核心组件，所述光电倍增核心组件的引脚穿过基座，所述基座的顶端设有玻璃罩窗口，所述光电倍增核心组件真空封装在玻璃罩窗口和基座之间...
    2026-05-12
  • 一种用于等离子体处理的反应腔室及半导体处理设备
    一种用于等离子体处理的反应腔室及半导体处理设备_上海邦芯半导体科技有限公司_202610443709.1
    本发明涉及晶圆处理设备技术领域，尤其涉及一种用于等离子体处理的反应腔室及半导体处理设备，包括介质窗、感应线圈和活动屏蔽件；介质窗设于处理室的顶部；感应线圈环绕设于介质窗的外侧；活动屏蔽件环绕设于介质窗和感应线圈之间，并能够沿介质窗的轴向升降...
    2026-05-12
  • 一种刻蚀设备和检测方法
    一种刻蚀设备和检测方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411522179.7
    本申请提供了一种刻蚀设备和检测方法，涉及半导体刻蚀技术领域，该刻蚀设备包括：刻蚀结构、检测结构和校准结构。刻蚀结构用于晶圆的刻蚀，包括基座、静电卡盘、聚焦环和盖环。检测结构包括光源、第一透镜和处理模块，光源输出检测光线，第一透镜将检测光线传...
    2026-05-12
  • 一种具有检测系统的刻蚀设备和检测方法
    一种具有检测系统的刻蚀设备和检测方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411522174.4
    本申请提供了一种具有检测系统的刻蚀设备和检测方法，涉及半导体刻蚀技术领域，该刻蚀设备包括：刻蚀结构、检测系统和调整结构，刻蚀结构包括基座、静电卡盘、聚焦环和盖环，检测系统位于刻蚀结构，包括第一极板、第二极板和电容检测模块，第一极板位于聚焦环...
    2026-05-12
  • 一种具有成像系统的刻蚀设备和检测方法
    一种具有成像系统的刻蚀设备和检测方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411520762.4
    本申请提供了一种具有成像系统的刻蚀设备和检测方法，涉及半导体刻蚀技术领域，该刻蚀设备包括：刻蚀结构、成像系统和校准结构，刻蚀结构包括基座、静电卡盘、聚焦环和盖环，成像结构位于盖环，用于获取聚焦环的轮廓图像，并基于聚焦环的轮廓图像获取聚焦环相...
    2026-05-12
  • 一种聚焦环刻蚀补偿的刻蚀设备和补偿方法
    一种聚焦环刻蚀补偿的刻蚀设备和补偿方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411520740.8
    本申请提供了一种聚焦环刻蚀补偿的刻蚀设备和补偿方法，涉及半导体刻蚀技术领域，该刻蚀设备包括：刻蚀结构、检测结构和调整结构。刻蚀结构包括基座、静电卡盘、聚焦环和盖环。检测结构包括光源、第一透镜、第二透镜、检测模组，光源输出检测光线，第一透镜将...
    2026-05-12
  • 一种可更换内衬式ICP设备及其更换检测方法
    一种可更换内衬式ICP设备及其更换检测方法_合肥芯昊半导体设备有限公司_202410311576.3
    本发明涉及ICP设备清洗技术领域，具体公开了一种可更换内衬式ICP设备及其更换检测方法，包括ICP设备腔室和内衬，所述内衬设于ICP设备腔室内；所述内衬侧壁上开设有环形均匀布置的排气孔，所述排气孔为多层排布，所述排气孔各层之间纵向等间距分布...
    2026-05-12
  • 离子注入机及其离子角度调整方法
    离子注入机及其离子角度调整方法_浙江求是创芯半导体设备有限公司_202512048913.1
    本申请公开了一种离子注入机及其离子角度调整方法，离子注入机包括前部结构、后部结构以及连接前部结构和后部结构的弹性管，前部结构包括离子源、引出电极和质量分析磁铁，后部结构包括分析狭缝、聚焦电极、扫描电极和平行透镜，离子源、引出电极、质量分析磁...
    2026-05-12
  • 一种离子注入设备
    一种离子注入设备_浙江求是创芯半导体设备有限公司_202512037099.3
    本申请涉及半导体离子注入技术领域，尤其是涉及离子注入设备，包括用于产生离子的离子源、连接于离子源输出端并用于引导离子形成离子束的离子引出系统、连接于离子引出系统输出端并用于对离子束进行初筛的质量分析装置以及连接于质量分析装置的输出端并用于对...
    2026-05-12
  • 一种转动调节式离子束刻蚀均匀性修正结构
    一种转动调节式离子束刻蚀均匀性修正结构_合肥微芸半导体科技有限公司_202610275297.5
    本发明公开了一种转动调节式离子束刻蚀均匀性修正结构，涉及半导体技术领域，包括反应腔体，反应腔体的背面处固定安装有第一电机，第一电机的输出端贯穿延伸至反应腔体的内部中，且第一电机的输出端固定连接有载台，载台的内部安装有旋转座机构和升降夹紧机构...
    2026-05-12
  • 一种用于TEM表征的MEMS悬空加热承载结构及其制备方法
    一种用于TEM表征的MEMS悬空加热承载结构及其制备方法_苏州博纳微电子科技有限公司_202610150968.5
    本发明提供了一种用于投射电子显微镜(TEM)表征的MEMS悬空加热承载结构及其制备方法，SOI硅片包括器件层硅、埋氧层以及衬底层硅。器件层表面设有第一氧化硅层，第一氧化硅层上置有加热电极；衬底层表面设有第二氧化硅层用于背面图形化与刻蚀控制。...
    2026-05-12
  • 一种束流磁场校准装置及离子注入设备
    一种束流磁场校准装置及离子注入设备_浙江求是创芯半导体设备有限公司_202512042030.X
    本申请涉及半导体离子注入技术领域，尤其是涉及束流磁场校准装置及离子注入设备。其中，束流磁场校准装置包括一侧开口的安装腔、设置于安装腔开口的一侧并朝远离安装腔开口方向延伸的安装板、一端安装于安装腔内的磁场发生结构以及设置于安装板上背离通道一侧...
    2026-05-12
  • 一种束流调节装置及离子注入设备
    一种束流调节装置及离子注入设备_浙江求是创芯半导体设备有限公司_202512036347.2
    本申请涉及半导体离子注入技术领域，尤其是涉及一种束流调节装置及离子注入设备，其中，束流调节装置包括安装板、两块挡板和两组驱动组件。挡板安装于安装板的一侧，且两块挡板之间形成有狭缝。两组驱动组件安装于安装板的相对一侧，且两组驱动组件分别连接对...
    2026-05-12
  • 微机电光量子数字微光器件及其封装方法
    微机电光量子数字微光器件及其封装方法_北方夜视技术股份有限公司_202610193030.1
    本申请公开了一种微机电光量子数字微光器件及其封装方法，包括：阴极、管壳前体、管壳后体；管壳前体内封装MCP；管壳后体内设置CMOS电路；管壳后体的插接端上设置HTCC基座；使用时，电压分别施加于阴极、MCP输入、MCP输出和CMOS电路的电...
    2026-05-12
  • 用于电真空探测器件制冷的侧向散热结构及电真空探测器
    用于电真空探测器件制冷的侧向散热结构及电真空探测器_中国科学院西安光学精密机械研究所_202610447026.3
    本发明属于光学仪器技术领域，具体涉及一种用于电真空探测器件制冷的侧向散热结构及电真空探测器。该用于电真空探测器件制冷的侧向散热结构包括制冷模块和侧向散热模块，所述制冷模块，与电真空探测器件的阴极连接，用于对阴极进行制冷和热传导；所述侧向散热...
    2026-05-12
  • 一种基于AlGaN过渡层的GaN光电阴极
    一种基于AlGaN过渡层的GaN光电阴极_南京大学_202610187659.5
    本发明公开了一种基于AlGaN过渡层的GaN光电阴极，其结构自下而上依次包括：衬底；AlN层；GaN发射层；Cs/O激活层；在AlN层与GaN发射层之间还设有AlGaN过渡层。本发明在AlN层与GaN层之间设置AlGaN过渡层，AlGaN材...
    2026-05-12
  • 阴极组件及其制备方法和电推力器
    阴极组件及其制备方法和电推力器_湖南稀土金属材料研究院有限责任公司_202610205558.6
    本申请提供了一种阴极组件及其制备方法和电推力器。该阴极组件包括金属部件、硼化物陶瓷部件和复合层，金属部件和硼化物陶瓷部件之间通过复合层连接，复合层包括层叠设置的碳化物陶瓷过渡层和钎焊层，碳化物陶瓷过渡层设于硼化物陶瓷部件的连接面与钎焊层之间...
    2026-05-12
  • 一种具有快速连接结构的保险盒总成
    一种具有快速连接结构的保险盒总成_鹤壁市翔毅电气有限公司_202610128500.6
    本发明涉及一种具有快速连接结构的保险盒总成，属于保险盒总成技术领域，包括绝缘安装基座，所述绝缘安装基座的内部内嵌有导电架，而绝缘安装基座的顶面设有片式熔断器，所述绝缘安装基座的顶面位于片式熔断器的左右两侧均固定安装有导温板，所述导温板的内部...
    2026-05-12
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