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最新专利技术
  • 吸嘴管理装置
    吸嘴管理装置_株式会社富士_202380102810.5
    吸嘴管理装置具备：检查部，对元件安装机中使用的吸嘴进行检查；不良品收容部，能够将由所述检查部判定为不良的多个吸嘴收容于内部的收容空间；以及通知部，根据收容状况而向外部进行通知，所述收容状况表示所收容的多个吸嘴在收容空间中所占的比例。
    2026-05-08
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480063630.5
    提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置、可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置或工作速度快的半导体装置。该半导体装置包括：包括第一导电层至第三导电层、第一氧化物半导体层以及电荷存储层的第一晶体管；包括第四导电层、第五导电层以及第二氧...
    2026-05-08
  • 半导体装置及存储装置
    半导体装置及存储装置_株式会社半导体能源研究所_202480063695.X
    提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括第一至第三晶体管、第一电容器以及第二电容器，第一至第三晶体管都包括栅极、第一端子以及第二端子，第一晶体管的第一端子与第一电容器的第一电极、第三晶体管的栅极电连接，第二晶体管的第一端子与第一晶体管的第...
    2026-05-08
  • 包括波状漏极选择层级隔离结构的存储器设备及其形成方法
    包括波状漏极选择层级隔离结构的存储器设备及其形成方法_桑迪士克科技股份有限公司_202580005065.1
    一种三维存储器设备包括：绝缘层与导电层的交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过交替堆叠；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于存储器开口中；和漏极选择层级隔离结构，该漏极选择层级隔离结构竖直延伸穿过交替堆叠内的层的子集，并且大...
    2026-05-08
  • 三维存储器件及三维存储器件的制造方法
    三维存储器件及三维存储器件的制造方法_长江存储科技有限责任公司_202480003304.5
    公开了一种三维(3D)存储器件以及该3D存储器件的制造方法。在某些方面中，所公开的3D存储器件可以包括：存储区域；位于两个相邻的存储区域之间的间隔区域，其中，所述间隔区域包括：电介质堆叠体；以及沿垂直方向延伸穿过电介质堆叠体的导电结构；以及...
    2026-05-08
  • 集成三维电荷耦合器件存储器中的字线接触方案
    集成三维电荷耦合器件存储器中的字线接触方案_IMEC非营利协会_202480062585.1
    本公开涉及电荷耦合器件(CCD)存储器。具体地，本公开提供了用于三维(3D)集成CCD存储器的设计和接触方案，该三维集成CCD存储器可以是多相CCD存储器。该3D CCD存储器包括堆叠，该堆叠包括沿着第一方向以一个在另一个之上的方式交替布置...
    2026-05-08
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480063473.8
    提供一种能够实现微型化的晶体管。半导体装置包括晶体管以及第一绝缘层。晶体管包括第一导电层、第二导电层、第三导电层、半导体层及第二绝缘层。第一绝缘层具有到达第一导电层且其上部很窄的第一开口。第二导电层位于第一绝缘层上。半导体层具有与第一导电层...
    2026-05-08
  • 柱状沟槽型功率MOSFET及其形成方法
    柱状沟槽型功率MOSFET及其形成方法_华为技术有限公司_202380102841.0
    MOSFET(100)包括：有源区(101)，其中，所述有源区(101)形成在漂移区(102)上；栅极沟槽(105)，其中，所述栅极沟槽(105)形成在所述有源区(101)中并延伸到所述漂移区(102)中，所述栅极沟槽(105)填充有栅电极...
    2026-05-08
  • 激光照射装置、激光照射方法和用于制造化合物半导体器件的方法
    激光照射装置、激光照射方法和用于制造化合物半导体器件的方法_JSW阿克迪纳系统有限公司_202380102687.7
    根据本实施方式的激光照射装置(1)是如下激光照射装置，其构造成能够进行激光照射以形成在由化合物半导体形成的晶圆上形成的半导体器件的背电极，所述激光照射装置(1)包括：准分子激光光源，其构造成能够产生激光；光学系统(20)，其构造成能够用所述...
    2026-05-08
  • 半导体装置及电子设备
    半导体装置及电子设备_索尼集团公司_202480063878.1
    [问题]为了实现微小型化和耐压性。[解决方案]该半导体装置包括：半导体基板，具有第一扩散区；第一晶体管，具有设置在半导体基板上方的第一栅极；第二晶体管，具有设置在半导体基板上方的第二栅极，并且该第二晶体管与第一晶体管共用第一扩散区；以及硅化...
    2026-05-08
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202580004908.6
    提供一种能够用1个芯片实现电阻和电容的半导体装置。具备：半导体基板(1)；下层绝缘膜(2)，其设置在半导体基板(1)的上表面侧；电阻层(3)，其设置在下层绝缘膜(2)的上表面侧；层间绝缘膜(4)，其设置在下层绝缘膜(2)及电阻层(3)的上表...
    2026-05-08
  • 一种半导体管芯及其制造方法
    一种半导体管芯及其制造方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202480062369.7
    本公开涉及一种半导体管芯，包括：在管芯的有源区域中的晶体管器件；电连接在负载接触部和栅极接触部之间的静电放电(ESD)保护结构；其中边缘终止结构包括由场电介质材料制成的场电介质，场电介质材料在边缘终止结构的第一部分中具有第一厚度t1并且在边...
    2026-05-08
  • 成像装置和电子设备
    成像装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480063069.0
    根据本公开的一个实施方案的成像装置包括：多个像素组，各像素组包括预定数量的像素；和针对各个像素组一对一设置的多个透镜。多个像素组和多个透镜在平面图中设置成蜂窝阵列。所述多个像素组中的各个像素组在平面图中形成为六边形形状。
    2026-05-08
  • 固态成像装置和电子设备
    固态成像装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480064285.7
    [问题] 为了避免在设置多个转换效率切换晶体管和多个浮动扩散区域时馈通的影响。[解决方案] 一种固态成像装置包括：光电转换元件，其产生根据入射光的光量的电荷；多个转换效率切换晶体管，其执行向彼此不同的光电转换效率的切换；多个浮动扩散区域，其...
    2026-05-08
  • 一种探测面板、探测装置及图像处理方法
    一种探测面板、探测装置及图像处理方法_京东方科技集团股份有限公司_202480001769.7
    本申请提供一种探测面板、探测装置及图像处理方法，涉及光电传感领域，探测面板包括：多个像素；像素包括感光器件以及薄膜晶体管；多个像素阵列排布构成像素阵列；像素阵列包括多个区域；至少一个目标区域包括第一像素和第二像素；第一像素中的薄膜晶体管为第...
    2026-05-08
  • 显示模组、显示装置、评价发光效果的方法、装置
    显示模组、显示装置、评价发光效果的方法、装置_京东方科技集团股份有限公司_202580000635.8
    一种显示模组、显示装置、评价发光效果的方法、装置，该显示模组的显示基板包括阵列布置的多个目标发光元件，多个目标发光元件为显示基板上所有具有同种发光颜色的发光元件，多个目标发光元件划分为阵列布置的多个第一发光元件组，第一发光元件组包括阵列布置...
    2026-05-08
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_天津三安光电有限公司_202380102394.9
    本发明公开发光二极管和发光装置，所述发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，包含第一半导体结构、有源层、第二半导体结构和第三半导体层；所述第三半导体层在远离第二半导体结构的一侧形成凹处和非凹处；欧姆接触层，设置在部分所述...
    2026-05-08
  • 发光元件、包括发光元件的显示装置以及制造显示装置的方法
    发光元件、包括发光元件的显示装置以及制造显示装置的方法_三星显示有限公司_202480063260.5
    本公开涉及发光元件、显示装置和制造显示装置的方法。根据实施例的发光元件包括：第一半导体层；第二半导体层，设置在第一半导体层上；发光层，设置在第二半导体层上；第三半导体层，设置在发光层上；元件电极层，设置在第三半导体层上；连接电极，设置在元件...
    2026-05-08
  • 一种显示面板、显示装置
    一种显示面板、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001677.9
    一种显示面板、显示装置，该显示面板包括：硅基背板，包括多个驱动电路及多个输出端；所述输出端被配置为传输所述驱动电路生成的驱动信号；多个发光结构，位于所述硅基背板的第一表面；所述发光结构包括层叠设置的多个子发光结构；所述子发光结构包括第一类型...
    2026-05-08
  • 包含金属氧化物电荷传输层的光电器件
    包含金属氧化物电荷传输层的光电器件_凡泰姆股份公司_202480060852.1
    本发明涉及一种光电器件，其包含多层，其中所述多层中的至少一层是电荷传输层，所述电荷传输层包含金属氧化物纳米颗粒和具有通式(I)的非极性尾部的两性离子配体：其中S1代表C3‑30亚烷基；其中所述亚烷基为直链或支链，并且其中所述亚烷基的一个或多...
    2026-05-08
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