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最新专利技术
  • 涂层结构以及用于制造涂层结构的方法
    涂层结构以及用于制造涂层结构的方法_LG伊诺特有限公司_202480065170.X
    根据实施方式，公开了一种涂层结构，该涂层结构包括：基板；设置在基板上的第一薄膜；设置在第一薄膜上的第二薄膜；以及从基板突出的金属图案。该金属图案穿透第一薄膜并且穿透第二薄膜的一部分。
    2026-05-14
  • 光检测元件
    光检测元件_索尼半导体解决方案公司_202480066513.4
    本发明在像素中设置有使用了空隙的遮光部。本发明的光检测元件包括像素、芯片上透镜和遮光部。所述像素各自包括：光电转换部，其设置于半导体基板中且执行入射进来的光的光电转换；和彩色滤光器，其允许入射过来的光之中的具有预定波长的入射光透过且致使该入...
    2026-05-14
  • 多个太阳能电池连接成太阳能电池串的方法、太阳能电池串及太阳能模块的制造方法
    多个太阳能电池连接成太阳能电池串的方法、太阳能电池串及太阳能模块的制造方法_韩华QCELLS有限公司_202480065465.7
    本发明涉及一种将多个太阳能电池(1)连接成太阳能电池串的方法，包括以下步骤：a)提供多个太阳能电池(1)，每个太阳能电池具有一个正面(5)和一个背面(6)；b)提供嵌入有电导体线路(3)的膜(2)；c)利用嵌入有电导体线路(3)的膜(2)，...
    2026-05-14
  • 太阳能电池模块
    太阳能电池模块_株式会社钟化_202480065604.6
    提供一种在中央不形成非发电区域的太阳能电池模块。太阳能电池模块具备在透明基材(12)上在第一方向上邻接的第一薄膜系太阳能电池子模块(10A)和第二薄膜系太阳能电池子模块(10B)，第一子模块(10A)具有第一集成构造，第二子模块(10B)具...
    2026-05-14
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社索思未来_202380103099.5
    半导体装置包括形成在基板上的第一电源线、第二电源线和第三电源线、形成在基板的上方的第一半导体层和第二半导体层、以及分别形成在第一半导体层和第二半导体层上的第三半导体层和第四半导体层。此外，半导体装置还包括形成在第一半导体层与第二半导体层之间...
    2026-05-14
  • 集成电路及其制备方法、电子设备
    集成电路及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202380102257.5
    本申请实施例公开一种集成电路及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域。集成电路包括衬底、鳍、栅线、源极、漏极、隔离层、电源接触结构和配电网络。衬底具有第一表面和第二表面。鳍位于第一表面上。栅线跨设在鳍上。隔离层位于相邻两条鳍之间，且将栅线...
    2026-05-14
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社索思未来_202380103068.X
    半导体装置包括形成在基板中的第一电源线、第二电源线和第三电源线。半导体装置包括第一晶体管，该第一晶体管包括形成在基板的上方的两个半导体层和第一栅极，半导体层中的一个经由第一通孔连接到第一电源线，且半导体层中的另一个连接到第二电源线。半导体装...
    2026-05-14
  • 在多堆叠晶粒应用中的有效覆盖计量的交替层图案方式的使用
    在多堆叠晶粒应用中的有效覆盖计量的交替层图案方式的使用_应用材料公司_202480065113.1
    本公开的实施方式包括一种用于形成元件的方法，所述方法包含：产生在第一晶粒上接合的第二晶粒的影像，所述第一晶粒在基础基板上接合，所述第一晶粒具有在所述第一晶粒的第一表面上形成的第一特征并且所述第二晶粒具有在所述第二晶粒的第二表面上形成的第二特...
    2026-05-14
  • 具有多层结构的半导体晶片及其制造方法
    具有多层结构的半导体晶片及其制造方法_硅电子股份公司_202480065136.2
    一种半导体晶片，其具有多层结构和不小于150mm且不大于300mm的直径，其中所述多层结构按以下顺序包含具有{111}取向的单晶硅衬底；至少一个AlN成核层；AlzGa1‑zN层；AlxGa1‑xN的岛和AlyGa1‑yN的岛；超晶格结构，...
    2026-05-14
  • 具有自对准扩展区的MOSFET
    具有自对准扩展区的MOSFET_罗伯特·博世有限公司_202480065141.3
    提供了一种垂直半导体结构元件(100)，其具有：漂移区(108)；沿横向并排的至少一个第一二极管区(109)和第二二极管区(109)；沟槽栅极(104)，所述沟槽栅极沿横向布置在第一二极管区(109)与第二二极管区(109)之间，其中，所述...
    2026-05-14
  • 用于直接背面接触式背面功率递送网络的二极管结构
    用于直接背面接触式背面功率递送网络的二极管结构_高通股份有限公司_202480066176.9
    一种二极管结构，包括纳米片结构，该纳米片结构在基板上，该纳米片结构包括第一第一类型扩散区、在该基板上的第二第一类型扩散区、第一第二类型扩散区和第二第二类型扩散区，每个扩散区在该基板上。该二极管结构包括第一栅极，该第一栅极在该纳米片结构上的该...
    2026-05-14
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480066432.4
    提供一种具有微型的晶体管的半导体装置。该半导体装置包括晶体管、第一绝缘层和第二绝缘层。晶体管包括半导体层、第一导电层和第二导电层。第一导电层与第一绝缘层以顶面高度大致一致的方式设置。第二绝缘层设置在第一导电层上及第一绝缘层上。第二导电层设置...
    2026-05-14
  • 具有多个HBM堆栈的芯片封装
    具有多个HBM堆栈的芯片封装_超威半导体公司_202480064506.0
    本文公开了芯片封装，该芯片封装通过单个中介层裸片将多个计算裸片集成到存储器堆栈。中介层裸片包括存储器控制器电路，该存储器控制器电路允许多个计算裸片以高效的方式访问存储器堆栈。
    2026-05-14
  • 管理半导体装置中的隔离结构
    管理半导体装置中的隔离结构_长江存储科技有限责任公司_202480003302.6
    本公开涉及用于管理半导体装置中的隔离结构的方法、装置和系统。一种示例性半导体装置包括沿第一方向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向彼此交替的导电层和隔离层的第一堆叠体。半导体装置还包括沿第二方向延伸穿过第一堆叠体的栅缝隙结构、以及沿第一方向延...
    2026-05-14
  • 100GHz以上的亚太赫兹频段用电磁波吸收构件
    100GHz以上的亚太赫兹频段用电磁波吸收构件_日本瑞翁株式会社_202480066578.9
    本发明的亚太赫兹频段用电磁波吸收构件的特征在于是包含高分子材料和碳纳米管的电磁波吸收构件，碳纳米管包含单壁碳纳米管作为主成分，电磁波吸收构件的电导率为0.1(S/cm)以上且2.0(S/cm)以下，并且在频率300(GHz)的衰减率为5(d...
    2026-05-14
  • 带磁性体的汇流条组装体
    带磁性体的汇流条组装体_株式会社自动网络技术研究所_202480065547.1
    公开一种能够抑制一对汇流条彼此的接触的带磁性体的汇流条组装体。带磁性体的汇流条组装体(10)具备：一对汇流条(12, 14)；环状的磁性体(16)，外套于一对汇流条(12, 14)；及绝缘性保持构件(18)，将一对汇流条(12, 14)和磁...
    2026-05-14
  • 电路单元
    电路单元_株式会社自动网络技术研究所_202480065595.0
    公开一种电路单元，抑制了通电路对电流传感器的热影响、对磁场的影响。电路单元(10)具备：电流传感器(12)；通电路(16)，构成为包含由电流传感器(12)检测电流值的检测导体部(14)；以及非通电传热部件(20a、20b)，与通电路(16)...
    2026-05-14
  • 液体冷却式负压分配系统
    液体冷却式负压分配系统_开利公司_202480064576.6
    一种用于冷却数据中心的至少一个机架系统的数据中心冷却系统包括冷却回路，该冷却回路具有循环通过其中的冷却流体。冷却回路具有闭环构造并且包括用于在冷却回路内移动冷却流体的泵，冷却分配单元，和安装在至少一个机架系统内的热回收构件。数据中心冷却系统...
    2026-05-14
  • 用于电子部件的壳体、带有壳体的设备和壳体制造方法
    用于电子部件的壳体、带有壳体的设备和壳体制造方法_利萨·德雷克塞迈尔有限责任公司_202480064390.0
    一种用于接收电子部件的壳体(1)，其具有壳体壁(2)和散热元件(3)，其中，散热元件(3)与壳体壁(2)构造成一体的，其中，散热元件(3)和壳体壁(2)通过多组分注塑过程制造，其中，散热元件(3)被布置为使得在电子部件内产生的热量能够通过散...
    2026-05-14
  • 电子设备
    电子设备_荣耀终端股份有限公司_202380102613.3
    本申请提供一种电子设备，电子设备包括中框、均热板和电池。中框设有安装孔，安装孔沿中框的厚度方向贯穿中框。均热板设置于中框，且覆盖至少部分安装孔。电池至少部分设置于安装孔，且设置于均热板朝向电池的表面。本申请所示电子设备中，将均热板用作电池仓...
    2026-05-14
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