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电气元件制品的制造及其应用技术
  • 主从D触发器和包括主从D触发器的集成电路
    主从D触发器和包括主从D触发器的集成电路_英飞凌科技股份有限公司_202110270906.5
    公开了一种主从D触发器和包括主从D触发器的集成电路。该主从D触发器包括：主电路，其被配置成接收输入信号并且根据输入信号产生两个第一中间信号；传输电路，其连接至主电路，并且包括至少两个逻辑门和用于将时钟信号施加到每个门的一个输入的时钟连接，其...
    2026-05-07
  • 用于在施主间迁移期间更新数据传输的方法和设备
    用于在施主间迁移期间更新数据传输的方法和设备_中兴通讯股份有限公司_202080098404.2
    本公开描述了用于向迁移集成接入回程节点(IAB节点)的至少一个下游设备通知经历从源IAB施主到目标IAB施主的迁移的迁移IAB节点的施主间迁移状态的方法、系统和设备。该方法包括由接收设备接收从IAB施主发送的无线资源控制(RRC)消息。RR...
    2026-05-07
  • 一种线路板防叠板系统及方法
    一种线路板防叠板系统及方法_南通深南电路有限公司_202110749955.7
    本申请公开了一种线路板防叠板系统及方法，该方法包括通过传送装置传送线路板，当线路板被传送至厚度检测装置对应的位置时，利用控制器控制传送装置停止传送，并控制厚度检测装置对线路板的厚度进行检测；响应于第一检测厚度大于设定厚度，利用控制器控制传送...
    2026-05-07
  • 电子装置
    电子装置_迪克创新科技有限公司_202180004747.2
    本申请公开了一种电子装置，包括第一晶粒、第二晶粒及封装结构。在第一晶粒中，第一电压端提供第一电路所需的第一电压，第二电压端提供第二电路所需的第二电压，第一静电泄流总线耦接于第一电压端及第二电压端，而第一静电放电保护件耦接于第一电压端及第一静...
    2026-05-07
  • 一种便携式毫米波主动拒止防暴盾牌
    一种便携式毫米波主动拒止防暴盾牌_中国工程物理研究院应用电子学研究所_202311223135.X
    本发明公开了一种便携式毫米波主动拒止防暴盾牌，包括壳体，还包括：支撑组件，用于对盾牌提供支撑；以及调节组件，用于调节盾牌高度；所述支撑组件，包括盾牌、撑杆、滑筒以及螺杆A，所述盾牌通过其底端的铰座与壳体铰接，两个所述撑杆分别在盾牌两侧与盾牌...
    2026-05-07
  • 用于微粒分析的流体装置及相关方法
    用于微粒分析的流体装置及相关方法_细胞动力学有限公司_202180027216.5
    本发明描述了一种用于测量微粒质量密度和重量中的至少一者的流体装置。该流体装置包括沉淀室，其流体连接到配置成浸没在液体中的入口通道。该流体装置还包括连接到沉淀室的泵送系统。该泵送系统适用于控制液体在沉淀室中的流。该流体装置的处理器配置成获得与...
    2026-05-07
  • 气液肥混施系统及混施方法
    气液肥混施系统及混施方法_扬州大学_202311203519.5
    气液肥混施系统及混施方法，属于农业设备技术领域，由储水装置、液肥发生装置、气肥分离装置、电解装置、气液混合装置组成，通过在液肥仓中放入相应的盐溶液和酸，产生离子和二氧化碳，水箱通过混药管道、出药管道与液肥仓连通，根据离子浓度检测，控制水箱启...
    2026-05-07
  • 蛋鸡养殖的室内循环式通风装置
    蛋鸡养殖的室内循环式通风装置_湖南三尖农牧有限责任公司_202410814907.5
    本发明涉及通风技术领域，尤其是指蛋鸡养殖的室内循环式通风装置，包括外壳以及外壳外壁固定连接的安装壳，所述外壳的内部固定安装有安装架，所述安装架的内部滑动安装有过滤板，所述安装架的内部滑动安装有用于清理过滤板的清理组件，所述外壳的顶部安装有清...
    2026-05-07
  • 一种纳米级多元金属催化剂、单壁碳纳米管及其制备方法
    一种纳米级多元金属催化剂、单壁碳纳米管及其制备方法_南通东恒新能源科技有限公司_202311562989.0
    本发明公开了一种纳米级多元金属催化剂的制备方法，包括将硝酸铁、硝酸镁、硝酸镧、硝酸钆、七钼酸铵和柠檬酸，将其与水混合均匀，加热浓缩，得到浓缩液；将乙二胺四乙酸、氨水、尿素混合均匀，得到乙二胺四乙酸溶液；将浓缩液和乙二胺四乙酸溶液混合，搅拌得...
    2026-05-07
  • 光激活类氧化酶活性金纳米簇的制备及生物硫醇分析应用
    光激活类氧化酶活性金纳米簇的制备及生物硫醇分析应用_山东师范大学_202410029027.7
    本发明属于纳米材料和生物技术领域，具体涉及一种光激活类氧化酶活性金纳米簇的制备及生物硫醇分析应用。将6‑甲基‑2‑硫代尿嘧啶的碱性溶液加入到氯金酸溶液中，室温下搅拌反应后产物经超滤离心法纯化得到光激活类氧化酶活性金纳米簇。本发明的光激活类氧...
    2026-05-07
  • 一种冷却系统及数据中心
    一种冷却系统及数据中心_北京百度网讯科技有限公司_202111154923.9
    本公开公开了一种冷却系统及数据中心，涉及冷热循环技术领域。该冷却系统包括换热输配模块、室内模块和冷却塔，换热输配模块包括水氟换热器、水泵、储液罐、液泵和压缩机，室内模块包括膨胀阀和制冷末端。水氟换热器具有一次侧和二次侧，一次侧的两端分别连接...
    2026-05-07
  • 用于网络切片的授权方法
    用于网络切片的授权方法_中兴通讯股份有限公司_201980099566.5
    本文公开了用于无线通信的系统和方法。在一个实施例中，该系统和方法被配置成由移动性管理功能(AMF)从网络功能(NF)接收切片信息，该切片信息包括切片的服务质量(QoS)配置文件或切片的服务区域中的至少一个。AMF可以基于切片的服务区域来确定...
    2026-05-07
  • 延迟电路及延迟方法
    延迟电路及延迟方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202110302085.9
    本揭露提供一种延迟电路及延迟方法。一相位侦测器用以接收第一时脉信号及第二时脉信号及产生一数字信号，数字信号指示第一时脉信号的一相位与第二时脉信号的一相位之间的一关系。一相位累加器电路用以接收数字信号并基于数字信号在多个时脉循环上的值而产生一...
    2026-05-07
  • 金半接触器件的结构、制造方法及电子设备
    金半接触器件的结构、制造方法及电子设备_天狼芯半导体(成都)有限公司_202210454849.0
    一种金半接触器件的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，通过包括衬底、边缘环结构和金属层；边缘环结构位于衬底中；金属层覆盖衬底且显露边缘环结构；其中，边缘环结构包括n个离子掺杂阱区；n为大于1的自然数；第i离子掺杂阱区位于第i+1离...
    2026-05-07
  • 一种多轴伺服驱动同步控制方法及装置、系统
    一种多轴伺服驱动同步控制方法及装置、系统_上海新纪元机器人有限公司_202210860603.3
    本发明提供了一种多轴伺服驱动同步控制方法及装置、系统，所述方法用于总线结构的多轴伺服系统，每个伺服驱动器内至少设置两个定时器和3个中断源，每个伺服驱动器独立执行以下步骤：当收到来自上位机的同步信号触发的中断时，执行第一中断任务，所述第一中断...
    2026-05-07
  • 基于数字累加形成环路迭代的宽带模拟自适应对消电路
    基于数字累加形成环路迭代的宽带模拟自适应对消电路_电子科技大学_202310750022.9
    本发明属于无线通信技术领域，具体提供一种基于数字累加形成环路迭代的宽带模拟自适应对消电路，用以解决现有模拟自适应对消电路因不能完全实现数字积分功能而带来的电路迭代深度降低、对消比下降的问题。本发明包括模拟自适应对消模块和数字增强模块，以模拟...
    2026-05-07
  • 一种氯化锶提纯多级过滤装置
    一种氯化锶提纯多级过滤装置_重庆新申世纪新材料科技有限公司_202311839978.2
    本发明公开了一种氯化锶提纯多级过滤装置，包括：底座，其上左侧固定有支架，右侧圆周布设有支撑座；过滤筒，安装于所述支架上；环座，配置为两组，分别固定套设在所述支撑座中部及上部；提纯筒，固定于所述环座上，且其内部安装有提纯机构；封盖，设置于所述...
    2026-05-07
  • 一种便携式致敏花粉检测仪
    一种便携式致敏花粉检测仪_美璞兰(上海)生物科技有限公司_202311584501.4
    本发明公开了一种便携式致敏花粉检测仪，其属于花粉检测技术领域，其包括安装壳，所述安装壳的内部设置有对花粉进行收集的间歇式花粉收集结构，在所述间歇式花粉收集结构上方的安装壳内部螺纹连接有压盖，花粉通过压盖进入到安装壳的内部，然后在通过间歇式花...
    2026-05-07
  • 一种介电结构的制备方法、介电结构
    一种介电结构的制备方法、介电结构_天狼芯半导体(成都)有限公司_202210451165.5
    本申请属于半导体技术领域，提供了一种介电结构的制备方法、介电结构，通过采用氮化硅层作为保护层，对其与衬底之间的氮化硅层进行氧化处理形成介电层，并在氮化硅层的位置形成具有角度的接触金属层，从而提升金属半导体接触部分的金属边缘的半导体反向电场，...
    2026-05-07
  • 一种具有非对称沟道的槽栅DMOS器件
    一种具有非对称沟道的槽栅DMOS器件_电子科技大学_202211030768.4
    本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有非对称沟道的槽栅DMOS器件，其元胞结构包括金属化漏极、位于金属化漏极之上的重掺杂第一导电类型半导体衬底、位于第一导电类型半导体衬底之上的轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层；位于所述轻掺杂第一导电...
    2026-05-07
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