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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 本申请实施例涉及储能柜技术领域,特别公开了一种隔热盖板及储能柜,包括支撑盖,沿所述支撑盖的厚度方向,所述支撑盖设有相背设置的第一壁和第二壁;加强筋,设置于所述第一壁背离所述第二壁的一侧,所述加强筋与所述支撑盖连接;第一隔热棉,设置于所述第二...
  • 本实用新型提供了一种自动增益控制电路、微波组件及无线通信设备,凭借第一增益控制环路的大衰减能力与第二增益控制环路的精细调节能力,应对从微弱到极强的信号输入,大幅拓宽了动态范围;并且依据高精度反馈调节机制,能够将输出信号强度稳定控制在目标区间...
  • 本申请提供了一种卡尔曼滤波方法及相关装置,方法包括:构建三维卡尔曼滤波系数表,根据外观特征累积偏差、距离累积偏差和速度累积偏差,确定当前目标检测的稳定性等级;根据稳定性等级和三维卡尔曼滤波系数表,确定当前目标在当前时刻的目标卡尔曼滤波强度值...
  • 本申请涉及智能控制技术领域,具体涉及一种姿态检测电路和智能终端。所述姿态检测电路通过对姿态检测电路的硬件电路进行改进,设置了滤波电路,通过调整电阻和电容的值,可以改变滤波电路的特性,满足了不同的应用需求。同时,结合姿态检测单元的采集信号的特...
  • 本实用新型涉及手机听筒技术领域,公开了一种三防手机LDS天线接触听筒,包括手机主体、底壳支架和底壳盖板,所述底壳支架设于所述收集主体内,所述底壳盖板设于所述底壳支架上,所述底壳支架上分别设置镭射LDE天线、镭射LDS天线和手机听筒,所述镭射...
  • 本发明实施例提供一种高维持高失效双向可控硅静电防护器件及其制作方法,P型衬底、N型埋层、第一N型深阱、第二N型深阱和第三N型深阱;第二N型深阱的左侧设有第三P+注入区,右侧设有第四P+注入区;第二N型深阱左侧设有第一P阱,右侧设有第二P阱;...
  • 一种包含水冷板的冷却装置。水冷板包括本体、上盖、第一垫圈、浮动盖板、弹性件及第二垫圈。本体具有表面、自表面凸起的环形肋部以及自表面贯穿本体的槽孔。环形肋部在表面形成液冷区域,槽孔位于液冷区域中。上盖覆盖于本体的表面。第一垫圈位于本体与上盖之...
  • 本发明涉及SMC材料电缆分支箱技术领域,尤其适用于电力电子元器件制造领域,具体为一种石墨烯改性的SMC材料的电缆分支箱,包括箱体、套设在箱体一侧的箱盖以及对称安装在箱盖外侧的把手,所述箱体内侧的中部套设有中心隔板,所述中心隔板的两端设置有随...
  • 一种电压转换器以及D类放大器。电压转换器包含一输出电路、一误差放大器以及一充电控制电路。输出电路包含一输出电容。充电控制电路包含:一检测电路,用以检测该输出电容的一输出电压来产生一检测信号;以及一功率限制电路,用以依据该检测信号将该误差放大...
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,所述基底包括器件区和隔断区,所述基底包括衬底以及分立于所述器件区和隔断区的衬底上的鳍部,所述器件区和隔断区的所述基底顶部形成有横跨所述鳍部的栅极结构,所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧...
  • 本申请涉及一种半导体结构及其制作方法。半导体结构包括第一导电类型阱区,第一导电类型阱区包括:第一器件区,第一器件区内形成有第一有源区,第一有源区形成有第一器件单元,第一器件单元用于提供第一类驱动电流;第二器件区,与第一器件区在第一导电类型阱...
  • 本发明公开了一种大功率脉冲波形可调航管发射机,包括依次连接的频率源电路、前级驱动放大电路、衰减器、末级放大合成电路、大功率环形器、大功率滤波器和耦合检波电路,所述耦合检波电路输出脉冲波形,所述大功率环形器还与接收机连接;所述频率源电路中设有...
  • 本发明提供了一种基于正交时频空调制的感知辅助上行信道估计方法及系统,包括:生成时延多普勒域上的导频符号,与通信数据符号叠加形成发送帧;将时延多普勒域发送帧转换为时域上行信号,在接收端基站重新转换为时延多普勒域接收信号;令基站收集感知回波,将...
  • 本实用新型属于电缆布设安装技术领域,具体为一种组合式槽式电缆桥架,包括:盖板,设置成一体式结构;侧板,设置有两个,所述盖板倒扣在两个侧板的顶端;中心底板和侧向底板,用于一对一的支撑电缆,所述中心底板位于两个侧板之间的中间位置;所述侧向底板设...
  • 本实用新型公开了一种高强度模压型电缆桥架,包括主板,所述主板的顶部设有分隔组件,所述主板的表面设有安装机构,所述安装机构中包括:安装组件,包括安装在主板两侧的限位滑轨,所述限位滑轨的表面滑动连接有滑动块,本实用新型涉及电缆桥架技术领域。该高...
  • 本公开涉及一种印刷电路板,所述印刷电路板包括:玻璃层,具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面;散热构件,嵌入所述玻璃层中;以及贯通过孔,延伸穿过所述玻璃层的位于所述第一表面与所述第二表面之间的至少一部分。所述散热构件可与所述玻璃层的所...
  • 本发明属于碱金属激光器技术领域,涉及一种快速加热防沉积型碱金属激光器用横流式蒸气池,包括不锈钢碱金属蒸气池腔体(1)、碱金属蒸气池用玻璃窗口(2)、碱金属蒸气池用横流风扇(3)、缓冲气体注入口(4)、碱金属介质注入口(5)、高热导率散热热沉...
  • 本公开实施例提供一种半导体存储结构及其制备方法以及半导体存储器,半导体存储结构包括:衬底;写晶体管,设置在衬底上,写晶体管包括沿第一方向延伸的第一铟镓锌氧化物结构,第一方向为垂直衬底顶面的方向;存储节点,设置在写晶体管上,且嵌合于第一铟镓锌...
  • 本实用新型公开了电缆桥架技术领域内的一种电缆桥架检修门便捷开启机构,包括底盘,底盘上侧设置有盖板,盖板上侧贯穿开设有检修口,检修口内侧活动设置有检修门,检修门下侧开设有两组安装槽,两组安装槽内侧均固定设置有磁块,检修口内侧位于检修门下侧部分...
  • 本发明提供了一种半导体器件,包括:衬底和多个半导体结构,多个半导体结构位于衬底上,各半导体结构包括源极结构、通道层结构、栅极结构和漏极结构,其中源极结构位于衬底上,通道层结构位于源极结构上,栅极结构位于通道层结构的侧壁上,漏极结构设置在通道...
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