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最新专利技术
  • 电镀装置
    电镀装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411515940.4
    本申请提供一种电镀装置，包括：电镀腔，用于容纳电镀液；阳极，位于电镀腔的内部；基板保持装置，用于夹持基板并在电镀期间将基板的镀覆面浸没于电镀液中；基板延伸组件，包括延伸腔、延伸阴极和隔膜，延伸阴极位于延伸腔的内部且被阴极偏置，隔膜用于隔离延...
    2026-05-03
  • 一种金刚石线锯镀镍镀层厚度的智能控制方法及系统
    一种金刚石线锯镀镍镀层厚度的智能控制方法及系统_湖南宏盛智能装备有限公司_202610166505.8
    本申请公开了一种金刚石线锯镀镍镀层厚度的智能控制方法及系统，涉及智能控制技术领域，该方法包括：建立结合镀镍槽和加固镀镍槽的结合镀镍约束空间和加固镀镍约束空间；优化生成结合镀镍槽的结合镀镍参数；执行结合镀镍工序，检测结合镀镍层厚度分布，完成金...
    2026-05-03
  • 一种光伏电池全自动电镀夹具
    一种光伏电池全自动电镀夹具_西安泰金新能科技股份有限公司_202610128950.5
    本发明公开了一种光伏电池全自动电镀夹具，包括电镀夹具和用于承载并驱动电镀夹具的夹具工装；电镀夹具包括底板组件、导电组件、紧固组件；底板组件安装在夹具工装上；紧固组件安装在底板组件上，并与设置在夹具工装上的驱动气缸连接；导电组件安装于紧固组件...
    2026-05-03
  • 一种通过熔盐电解法连续提纯低品位石英砂的方法与装置
    一种通过熔盐电解法连续提纯低品位石英砂的方法与装置_江西硅矿利用核心技术研发投资有限公司_202610198269.8
    本发明属于矿物加工技术领域，尤其涉及一种通过熔盐电解法连续提纯低品位石英砂的方法与装置，将氯化物盐、除杂剂以及低品位石英砂共同投入反应电解槽内，通过加热使其达到设定温度并保温，低品位石英砂在除杂剂的作用下发生反应，使其晶格内所含的铁、铝等杂...
    2026-05-03
  • 一种利用激光制备钙钛矿单晶薄膜的设备及方法
    一种利用激光制备钙钛矿单晶薄膜的设备及方法_清华大学_202511933074.5
    本发明提出了一种利用激光制备钙钛矿单晶薄膜的设备及方法，该方法主要利用毛细作用形成合适厚度的钙钛矿前驱体溶液薄膜，并通过线形光斑激光诱导蒸发与局域微流场，调节溶液中钙钛矿的浓度，实现钙钛矿的单晶生长，之后利用软件编程控制衬底和激光的相对运动...
    2026-05-03
  • 一种Sb掺杂的CsCd5Cl11全无机卤化物及其制备方法和应用
    一种Sb掺杂的CsCd5Cl11全无机卤化物及其制备方法和应用_德州学院_202511845082.4
    本发明属于无机卤化物材料技术领域，特别涉及一种Sb掺杂的CsCd5Cl11全无机卤化物及其制备方法和应用。本发明成功合成了具有三维刚性结构的新型全无机金属卤化物CsCd5Cl11，其结构中含有畸变的[CdCl6]4‑八面体。此外，通过引入S...
    2026-05-03
  • 一种紫外非线性光学晶体的生长方法
    一种紫外非线性光学晶体的生长方法_中国科学院福建物质结构研究所_202610002195.6
    本发明公开一种紫外非线性光学晶体的生长方法，包括如下步骤：a.将LBGO晶体原料和助熔剂混合，升温熔化，得到高温溶液；b.将步骤a中的高温溶液降温至LBGO晶体生长点；c.在过饱和温度点下，使籽晶接触高温溶液液面，降低高温溶液的温度，进行晶...
    2026-05-03
  • 一种惰性气体分压的氮化镓单晶生长方法
    一种惰性气体分压的氮化镓单晶生长方法_江西科技师范大学_202610054818.4
    本发明公开一种惰性气体分压的氮化镓晶体生长方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明包括(1)在氮气和惰性气体的混合气氛环境中，对GaN单晶生长原料进行加热，保持温度以及混合气氛气压至GaN籽晶生长完成形成GaN晶体；(2)待所述GaN晶体降...
    2026-05-03
  • 一种预防拉晶过程中单晶硅棒掉落的方法
    一种预防拉晶过程中单晶硅棒掉落的方法_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610121091.7
    本发明提供一种预防拉晶过程中单晶硅棒掉落的方法。方法包括以下步骤：选取位错密度＜100cm‑2的籽晶棒，籽晶棒的径向端面垂直于籽晶棒的轴向方向，且籽晶棒的轴向方向与籽晶棒的晶棱线方向的偏离度＜0.2°；采用籽晶夹持装置对籽晶棒进行夹持，且籽...
    2026-05-03
  • 一种加料角度调节方法及系统
    一种加料角度调节方法及系统_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202610350636.1
    本申请提供了一种加料角度调节方法及系统，包括：获取加料管内的硅料与所述加料管的上侧壁的距离信息；获取所述加料管的下侧壁的振动信息；根据所述距离信息和所述振动信息来调节所述加料管的倾斜角度。如此，角度调节精度更高，生产效率高，采用二次确认的方...
    2026-05-03
  • 基于集中派发参数的单晶炉自动控制方法及系统
    基于集中派发参数的单晶炉自动控制方法及系统_乐山市京运通新材料科技有限公司_202610150109.6
    本发明提供了一种基于集中派发参数的单晶炉自动控制方法及系统，方法包括以下步骤：接收来自远程控制端的派发指令；所述派发指令包括参数派发模式以及对应的派发工艺参数；根据所述参数派发模式，确定对应的参数写入条件与参数恢复条件；所述参数写入条件和参...
    2026-05-03
  • 单晶生长方法及设备
    单晶生长方法及设备_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202610345729.5
    本发明提供了一种单晶生长方法及设备，属于半导体制造技术领域。单晶生长方法包括：基于第一温度传感器和第二温度传感器测量的温度值输出第一异常信号；将采集的预设时长的晶棒的直径、图像信息和温度值输入预先训练的深度学习模型，在满足预设条件时，输出第...
    2026-05-03
  • 一种大尺寸碲化镉籽晶的扩径方法、一种单晶加热炉
    一种大尺寸碲化镉籽晶的扩径方法、一种单晶加热炉_广东晶智光电科技有限公司_202610135146.X
    本发明属于半导体材料领域，具体公开了一种大尺寸碲化镉籽晶的扩径方法、一种单晶加热炉。所述扩径方法包括：将碲化镉籽晶装入石英管，碲化镉多晶围置于籽晶旁，密封石英管并保持二者位置固定；加热石英管使籽晶边缘、多晶全部融化，待单晶炉冷却至室温后，破...
    2026-05-03
  • 一种拉晶收尾控制方法、装置及计算机存储介质
    一种拉晶收尾控制方法、装置及计算机存储介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202610346713.6
    本公开提供了一种拉晶收尾控制方法、装置及计算机存储介质，方法包括根据熔体表面及晶棒生长界面的图像数据，确定光圈特征和热场部件在熔体表面的倒影特征；基于光圈特征和预设光圈阈值，在光圈特征和倒影特征中确定目标参数；基于目标参数调整拉晶速度和/或...
    2026-05-03
  • 一种晶体生长控制方法、装置及单晶硅生长炉
    一种晶体生长控制方法、装置及单晶硅生长炉_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202610346716.X
    本公开提供了一种晶体生长控制方法、装置及单晶硅生长炉，该方法应用于晶棒的放肩阶段和转肩阶段，包括：在所述转肩阶段，根据晶棒生长界面的图像数据，提取晶棒的当前直径值以及反映固液界面生长状态的光圈特征值；根据当前直径值在时间维度上的直径变化量，...
    2026-05-03
  • 一种大尺寸碳化硅晶体制备装置及方法
    一种大尺寸碳化硅晶体制备装置及方法_芜湖予秦半导体科技有限公司_202311622225.6
    本发明公开了一种大尺寸碳化硅晶体制备装置及方法，具体涉及碳化硅晶体制备技术领域，包括提拉组件，所述提拉组件包括固定盒，且固定盒的内部转动安装有升降齿轮，所述升降齿轮的一侧啮合有升降齿条，且升降齿条的底部固定连接有固定架，所述固定盒的内部安装...
    2026-05-03
  • 一种连续碳化硅材料制造设备传输系统
    一种连续碳化硅材料制造设备传输系统_苏州精材半导体科技有限公司_202512047743.5
    本发明涉及一种连续碳化硅材料制造设备传输系统，包括：底座，顶部设有装配腔；转动件，一部分设于所述装配腔内，转动件可转动地设于底座上；转动件的顶部具有可供放置反应箱的处理工位，多个处理工位围绕转动件的轴线均匀布设；多个处理模块，设于所述转动件...
    2026-05-03
  • 一种基于机器学习优化PVT法SiC晶体生长的方法
    一种基于机器学习优化PVT法SiC晶体生长的方法_苏州清煜半导体科技有限公司_202610095820.6
    本发明属于PVT法制晶体领域，本发明提供了一种基于机器学习优化PVT法SiC晶体生长的方法，包括：通过对SiC晶体在多个历史生长周期内发生生长缺陷时的异常数据进行整合，得到缺陷对照表，通过当前周期内监测SiC晶体生长的数据进行预测分析，找到...
    2026-05-03
  • 一种提高PVT法碳化硅单晶生长质量的方法
    一种提高PVT法碳化硅单晶生长质量的方法_苏州清煜半导体科技有限公司_202610096183.4
    本发明公开了一种提高PVT法碳化硅单晶生长质量的方法，包括：原料优化、温度精细调控、气压精准管控、籽晶处理；其中，生长室内的轴向温度梯度和温度波动的异常都会导致晶体质量下降，针对温度精细调控，通过对轴向温度梯度和温度波动进行分析，获取生长室...
    2026-05-03
  • 一种碳化硅晶圆及其制备方法
    一种碳化硅晶圆及其制备方法_成都中微晶体材料有限公司_202610137701.2
    本发明公开了一种碳化硅晶圆及其制备方法，涉及半导体技术领域。碳化硅晶圆的制备包括原料与籽晶准备阶段和晶体生长阶段；其中，原料与籽晶准备阶段采用激光将Ti箔高温熔化，将碳化硅籽晶焊接在石墨基底表面，焊接强度远高于传统胶粘，解决了石墨/SiC物...
    2026-05-03
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