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发光二极管及发光装置
本发明公开发光二极管和发光装置,所述发光二极管包括半导体外延叠层,具有相对的第一表面和第二表面,包含第一半导体结构、有源层、第二半导体结构和第三半导体层;所述第三半导体层在远离第二半导体结构的一侧形成凹处和非凹处;欧姆接触层,设置在部分所述...
发光元件、包括发光元件的显示装置以及制造显示装置的方法
本公开涉及发光元件、显示装置和制造显示装置的方法。根据实施例的发光元件包括:第一半导体层;第二半导体层,设置在第一半导体层上;发光层,设置在第二半导体层上;第三半导体层,设置在发光层上;元件电极层,设置在第三半导体层上;连接电极,设置在元件...
一种显示面板、显示装置
一种显示面板、显示装置,该显示面板包括:硅基背板,包括多个驱动电路及多个输出端;所述输出端被配置为传输所述驱动电路生成的驱动信号;多个发光结构,位于所述硅基背板的第一表面;所述发光结构包括层叠设置的多个子发光结构;所述子发光结构包括第一类型...
包含金属氧化物电荷传输层的光电器件
本发明涉及一种光电器件,其包含多层,其中所述多层中的至少一层是电荷传输层,所述电荷传输层包含金属氧化物纳米颗粒和具有通式(I)的非极性尾部的两性离子配体:其中S1代表C3‑30亚烷基;其中所述亚烷基为直链或支链,并且其中所述亚烷基的一个或多...
用于摄像元件用光电转换元件的材料及摄像元件
本公开的目的在于实现响应性、外部量子效率和暗电流中的至少1个特性得到改善的摄像元件,提供具有高热稳定性的用于摄像元件用光电转换元件的材料。本发明的一个方式涉及的摄像元件为具备包含用于摄像元件用光电转换元件的材料的层的摄像元件,所述用于摄像元...
有机电致发光元件、显示装置、和照明装置
本发明的课题在于提供一种在利用在供体性材料与受体性材料之间形成的激发络合物的同时在低的施加电压下可得到发光且驱动稳定性优异的有机电致发光元件,其解决手段为一种有机电致发光元件(1),其特征在于,依次具备阳极(3)、空穴传输层(5)、发光层(...
量子点发光二极管和显示装置
本申请提供了一种量子点发光二极管和显示装置,该量子点发光二极管包括层叠设置的阳极、量子点发光层、电子传输层和阴极,量子点发光二极管还包括插入层,插入层设置于电子传输层和阴极之间,插入层被配置为降低量子点发光二极管的正向老化速率。可提升量子点...
显示基板及显示装置
一种显示基板,包括:第一显示区(A1)。第一显示区(A1)包括沿第一方向(D1)延伸且沿第二方向(D2)排布的多个子显示区(A11)、以及位于相邻子显示区(A11)之间的多个透光区(A13)。子显示区(A11)包括:基底(100)以及设置在...
显示基板和显示装置
一种显示基板和显示装置,显示基板包括显示区域(AA),显示区域(AA)包括第一显示区(A1)和第二显示区(A2),第一显示区(A1)包括多个像素岛区(A11)和分布在像素岛区(A11)之间的多个透光区(A12);多个第一类型子像素,位于所述...
显示基板及显示装置
显示基板及显示装置,涉及显示技术领域。显示基板包括多个显示单元,所述显示单元包括:沿行方向和/或列方向阵列排布的多个像素单元,所述多个像素单元包括共享像素单元和第一防窥像素单元,所述第一防窥像素单元在第一方向上的视角小于所述共享像素单元在所...
显示面板及显示装置
一种显示面板及显示装置;该显示面板包括发光层,发光层包括第一区域、第二区域及第三区域,第一区域与第二区域沿第一方向排布,第三区域设于第一区域及第二区域的第二方向的一侧;发光层包括第一共享子像素、第二共享子像素、第三共享子像素、第一防窥子像素...
显示装置
一种显示装置,包括:显示面板,包括安装有TFT阵列层的光学基板;盖板,覆盖所述光学基板的背面周缘;支撑面板,位于所述光学基板的背面下侧,并安装有向所述显示面板提供驱动信号的印制电路板;以及后盖,覆盖所述支撑面板,并位于所述光学基板的背面下侧...
有机发光显示设备
有机发光显示设备可包括:多个阳极电极,其位于多个子像素上;多个有机发光层,其位于多个阳极电极上;多个阴极电极,其位于多个有机发光层上;多个无机绝缘层,其位于多个阴极电极上;多个第一突出部,其设置于第一方向上的多个子像素之间,并具有侧部上的多...
用于沉积OLED像素的沉积掩模
根据本发明的实施方式的沉积掩模包括支承部和在支承部上的掩模部,其中,支承部包括第一层和第二层,第一层具有小于第二层的热膨胀系数的热膨胀系数,第一层具有大于第二层的硬度的硬度,并且第二层包含与掩模部的材料相同的材料。此外,第一层的线性热膨胀系...
用于管理晶圆变形的多重参数植入
公开一种基板中的应力管理方法。所述方法可包括:在基板的主表面上设置应力补偿层;以及实行链式植入程序以将一组离子植入至应力补偿层中。链式植入程序可包括:将第一植入程序引导至基板,第一植入程序在应力补偿层内产生第一损坏轮廓;将不同于第一植入的第...
基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序
本发明提供一种能够抑制热扩散而进行改性处理的技术。具备:准备至少形成有第1膜的基板的工序;以使电磁波相对于第1膜的吸收率高于电磁波相对于基板的吸收率的方式,供给电磁波而进行改性处理以便使基板的温度成为预定温度以下的工序。
等离子处理方法
为了提供能不使晶片表面的图案因等离子损伤地除去附着于晶片背面的金属污染物质的晶片处理方法,设为以下的结构。等离子处理方法具有:第一工序,对载置于样品台的样品进行等离子处理;第二工序,在第一工序后,在样品的表面形成沉积膜;和第三工序,在第二工...
方向性反应离子蚀刻特征的矩形性
本文所公开的是在半导体结构内形成开口端的方法。在一些实施例中,方法可包括提供在半导体装置的一层中形成的开口,其中该开口包含一组彼此相对的侧壁,以及连接到该组侧壁的第一和第二端壁,其中第一和第二端壁中的每一个界定一尖端,以及在该尖端和该组侧壁...
蚀刻方法、半导体器件的制造方法、蚀刻装置、表面处理气体组合物以及含有表面处理材料的蚀刻气体组合物
本发明提供一种能够选择性地蚀刻包含Si和O且不包含N的膜的蚀刻方法、应用该蚀刻方法的半导体器件的制造方法、蚀刻装置、表面处理气体组合物以及含有表面处理材料的蚀刻气体组合物。本发明涉及一种蚀刻方法,其中,使(I)包含HF气体的蚀刻气体组合物和...
半导体装置的制造方法和半导体装置的制造系统
一种半导体装置的制造方法,包括以下处理:针对具有激光吸收层及第一接合层的第一基板和具有第二接合层的第二基板中的所述第一接合层与所述第二接合层进行接合所得到的重合基板的未贴合区域,进行将填充材料填充到与所述第一接合层的第一外周位置相对应地预先...
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